レンツの法則は　電磁誘導によって発生する起電力は磁束の変化を妨げる方向に発生する

強磁性体のB-H曲線において磁化した後に磁界Hを０にした時の磁束密度Bの大きさを何というか

フレミングの右手の法則は、親指　磁界、人差し指　導体向き、中指　誘導起電力　の向きである

強磁性体のB-H曲線のループ面積は何に等しいか

磁界の中に物質を置くと磁気を帯びる＝磁化されることを何というか

静電界について、誤っているものを答えよ

電界中の電子の走行距離xは時間tに対してどのような関数になるか

ベース接地回路によるコレクタ電流の変化比Δ（Ic/Ie）はいくつか

電界上の点Aに+1Cの電荷を置いたとき、任意の点Bは点Aに対して

エミッタの下に負荷がある増幅回路を何というか

定電圧ダイオードはダイオードの順電圧・降伏特性を利用したものである

フレミングの左手の法則では親指の向きが導体に働く「力」を表す

フレミングの右手の法則は、親指　磁界、人差し指　導体向き、中指　誘導起電力　の向きである

ダイオードにp形 負、n形 正 の電圧を与えると少数キャリアに対して順電圧と考えられるので少数キャリアが移動することで極めてわずかな電流が流れる

太陽電池は半導体のpn接合に光が当たると正孔がp側、電子がn側に移動し起電力を発生する

２本の平行な直線状導体に反対向きの電流を流すと導体には距離の２乗に比例した反発力が働く

p形、n形半導体の接合面におけるキャリアの動きについて　空乏層付近の接合面にどのような電荷が生じるか

プッシュプル増幅回路について、正しいのはどれか。

電界上の点Aに+1Cの電荷を置いたとき、この点に働く力はどれか

磁気抵抗について、正しいものはどれか

バイポーラトランジスタはFET（電界効果トランジスタ）より入力インピーダンスが低い

強磁性体のB-H曲線において磁化した後に磁束密度Bを０にした時の磁界Hの大きさを何というか

p形、n形半導体の接合面におけるキャリアの動きについて　空乏層付近の接合面において何が起きるか

平行平板コンデンサの静電エネルギーは誘電率εに依存する

RLC直列回路において　2πfL＝1/(2πfC）となるとどのようになるか

磁界中の導体にはたらく電磁力が最大になるのはどちらか

クーロンの法則は　２つの点電荷の間の力は　電荷の積に反比例し、距離の２乗に比例する　法則である

バイポーラトランジスタはFET（電界効果トランジスタ）より静電気に対して破壊されにくい

交流電力　e=100sin(100πt)　の周期は20msである

電界中の電子の運動エネルギーWは時間tに対してどのような関係か

負（ー）に帯電した帯電体Aを絶縁された導体Bに近づけると帯電体に近い側に現れる電荷はどちらか

空乏層の静電容量が逆電圧により変化するダイオードを可変容量ダイオードという。逆電圧を小さくすると静電容量は大きくなる

バイポーラトランジスタは電圧制御素子、FET（電界効果トランジスタ）は電流制御素子である

磁極の中に中空の球体鉄心を置くと磁束はどのようになるか

静電界について、誤っているものはどれか。

バイポーラトランジスタのコレクタ電流は自由電子＋正孔、 FET（電界効果トランジスタ）のドレイン電流は自由電子 または 正孔が関与する

発光ダイオードについて誤っているものはどれか

コイルの自己インダクタンスLはどちらに比例するか

金属を加熱すると電子が飛び出す現象のことを何というか

磁気回路において　透磁率は電気回路の導電率に、磁束は電流にそれぞれ対応する

RL直列回路にスイッチを接続した回路について誤っているものはどれか

１ｍあたりの巻き数がＮの無限長ソレノイドに電流Ｉを流すと内部には磁界Ｈ＝ＮＩを生じる。ソレノイドの寸法や物質に影響されない

直線導体周辺の磁界の強さは下記のどちらに「反比例」するか

負（ー）に帯電した帯電体Aを絶縁された導体Bに近づけると導体Bに電荷が現れる現象を何というか

正弦波交流の平均値は　最大値×（2/π）＝0.637×最大値　である

電界中の電子の速度vは時間tに対してどのような関数になるか

コイルの合成インダクタンスが　L1+L2+２Mとなる接続はどれか

電界効果トランジスタFETにおいて、p形基盤にn形ソース/ドレイン領域がある場合を何というか

強磁性体を磁化した後のB-H曲線のことを何というか

コイルの相互インダクタンスMについて正しいのはどれか

平行平板コンデンサの電荷は誘電率εに依存する

磁気誘導において比透磁率が１より大きく、磁界と同じ向きの磁束を生じる物質を何というか

環状コイルの磁束は下記のうちどれか

正弦波交流において、全波整流の実効値は下記のうちどれか

平行平板コンデンサの静電エネルギーjは

レーザダイオードは光通信などに使われる。pn接合に「　」の電圧を加えて利用する

p形、n形半導体の接合面におけるキャリアの動きについて　接合面付近で互いにキャリアが消滅する何もない区間を何というか

平行平板コンデンサの極板間の電界分布は誘電率εに依存する

直線導体に対して磁界はどのような形を描くか

RLC交流回路で　ωL＝1/ωC　となる場合、インピーダンスはＺ＝Ｒとなり、電圧と電流は同相となる

均一磁界内に磁界と直角に置かれた直線状導体に電流を流すと導体には電流に比例した力が働く

エミッタ接地回路では入出力信号の位相差は180°である

p形、n形半導体の接合面におけるキャリアの動きについて　空乏層付近の接合面にどのような電荷が生じるか

正弦波交流において、半波整流の実効値は下記のうちどれか

金属に電子が衝突すると電子が飛び出す現象を何というか

環状コイルの起磁力はどれか　（I＝電流、N＝巻き数）

オームの法則は、均一物質の導体内で、電位差Vは電流Iに反比例する　法則である

正弦波交流において、全波整流の平均値は下記のうちどれか

正弦波交流において、半波整流の平均値は下記のうちどれか

平行平板コンデンサのエネルギーは誘電率に対して

RLC直列回路において、　力率cosΘ＝R/Z　、cosΘ＝S/P　である

平行平板コンデンサの静電エネルギーは

金属の表面に強い電界をかけると電子が飛び出す現象を何というか

強さが一定の磁界中に電子を突入するとどのような動きになるか

定電圧ダイオードはpn接合に「　」の電圧を加えたときの降伏現象を利用して定電圧を得るダイオードである

半導体の記述として誤っているものはどれか

電界中の電子の運動方程式は下記のうちどれか E=電界 e=電荷 a=加速度 m＝電子質量

平行平板コンデンサの静電容量は誘電率εに依存する

磁気誘導において比透磁率が１より小さく、磁界と逆向きの磁束を生じる物質を何というか

発光ダイオードのpn接合部に順電圧を加えるとキャリアの再結合が起こり、そのエネルギーに対応した波長の光が放出される

静電界について、正しいものはどれか

磁界中の導体に働く電磁力を示す法則はどれか

平行平板コンデンサの極板間の電位分布は誘電率εに依存する

レーザーダイオードにおいて、p形層とn形層に挟まれた層を何というか

バイポーラトランジスタは消費電力がFET（電界効果トランジスタ）より大きい

磁気抵抗について、正しいものはどれか

ジュールの法則は　導体内の電流に対して発生する熱量は　電流の２乗と抵抗に反比例する　法則である

pn接合を用いた太陽電池では接合部に光を照射することで電子と正孔が発生し、電子が各電極に集まることで起電力を生じる

可変容量ダイオードは通信機器の同調回路に使われる。pn接合に「　」の電圧を加えて使用するものである

磁気誘導について、特に強く磁化される物質（強磁性体）は下記のうちどれか

FETについて、正しいのはどれか

磁気抵抗の式は下記のうちどれか

コイルの自己インダクタンスLはどちらに反比例するか

レーザダイオードの発光原理について正しいのはどれか。

２本の導体に同方向に電流が流れているとき、電磁力はどの方向に働くか

RLC直列回路において、ωL＞（1/ωC）の場合位相が遅れ、ωL＜（1/ωC）の場合位相は進む

RLC直列回路において　共振周波数より周波数が高いとリアクタンスと電流はどうなるか

平行平板コンデンサにおいて、誤っているものはどれか

Y結線の電源にY結線の平衡三相負荷を接続した場合誤っているものはどれか　（Vp＝相電圧 Vl＝線間電圧　Ip＝相電流 Il＝線電流）