問題一覧
1
次の記述は、電気現象について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句の正しい組合せを下から選べ。
図に示すように、プラス（＋）に帯電している物体 a に、帯電していない導体 b を近づけると、導体 b において、物体 a に近い側には[ A ]の電荷が生じ、物体 a に遠い側には[ B ]の電荷が生ずる。この現象を[ C ]という。
A マイナス B プラス C 静電誘導
2
次の記述は、静電気に関するクローンの法則について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組み合わの正しい組合せを下から選べ。
［
(1)二つの点電荷Q₁［C］、Q₂［C］が距離 r ［m］離れて置かれているとき、両電荷の間に、働く力の大きさは、［ A ］に比例し、［ B ］に反比例する。
(2)このとき働く力の方向は、両電荷が同じ符号のときは、［ C ］する方向に働く。
A ：Q₁ × Q₂ B：r² C：反発
3
次の記述は、二つの電荷の間に働く力について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句を下から選べ。
二つの電荷の間に働く力の大きさは、［ ア ］の積に［ イ ］し、電荷間の距離の［ ウ ］に［ エ ］する。このときの力の方向は、二つの電荷を結ぶ直線上にある。これを静電気に関する［ オ ］という。
電荷, 比例, 2乗, 反比例, クローンの法則
4
図に示す、平行平板コンデンサの静電容量の値として、正しいものを下から選べ。ただし、電極の面積Sを20［cm²］（20×10¯⁴［m²］)、電極間の距離 d を1［mm］、真空の誘電率ℇ₀を9×10⁻¹²［F / m］および誘電体の比誘電率 ℇɾ を5とする。
90［pF］
5
次の記述は、コンデンサの静電容量について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句を下から選べ。
(1)平行板コンデンサの静電容量は、向かい合った二つの金属板の間隔［ ア ］し、金属板の面積［ イ ］する。また、両金属板の間に比誘電率が2の誘電体を満たしたときの静電容量は、空気を満たしたときの静電容量のほぼ［ ウ ］倍になる。
(2)1［V］の電圧を加えたときに［ エ ］［C］の電荷を蓄えるコンデンサの静電容量が1［F］である。
(3)静電容量が5［μF］のコンデンサに［ オ ］［V］の電圧を加えたとき、蓄えられる電荷の量は250［μC］である。
に反比例, に比例, 2, 1, 50
6
図に示す回路において、端子ab間の電圧が30［V］であるとき、端子cd間の電圧の値として、正しいものを下から選べ。ただし、電圧を加える前の各コンデンサに蓄えられている電荷の量は、零とする。
20［V］
7
次の記述は、コンデンサについて述べたものである。［ ］内に入れるべき字句をし下から選べ。
(1)平行開いたコンデンサーは、向かい合った2つの金属板の間に［ ア ］を蓄えることができ、静電容量は、金属版の間隔に［ イ ］する。
(2)コンデンサーは、静電容量が［ ウ ］ほど交流電流をよく通し、コンデンサーを流れる電流の大きさは、静電容量及び電圧が一定のとき、［ エ ］に比例し、位相は電圧より90度［ オ ］。
電荷, 反比例, 大きい, 周波数, 進む
8
コンデンサに直流電圧40［V］を加えたとき、0.2［C］の電荷が蓄えられた。このときコンデンサに蓄えられるエネルギーの値として、正しいものを下から選べ。
4［J］
9
図に示す回路において、静電容量22［μF］のコンデンサに蓄えられている電荷が16［μC］であるとき、静電容量33［μF］のコンデンサに蓄えられている電荷の値として、正しいものを下から選べ。
24［μC］
10
頭に示す静電容量の等しいコンデンサC、C、CおよびCからなる回路に9［V］の直流電圧を加えたところ、コンデンサCには6［μC］の電荷が蓄えられた。各コンデンサの静電容量の値とコンデンサCに蓄えられている電荷の値の組み合わせとして、正しいものを下から選べ。
静電容量 2［μF］ C₄の電荷 18［μC］
11
図に示すように耐圧50［V］で静電容量30［μF］のコンデンサと、耐圧150［V］で静電容量20［μF]のコンデンサを直列に接続したとき、合成静電容量Cの値およびその両端に加えることができる最大電圧Vの値として、正しい組合せを下から選べ。ただし、各コンデンサは、接続前に電荷は蓄えられていないものとする。
C：12［μF］ V：125［V］
12
図に示すように耐圧30［V］で静電容量40［μF］のコンデンサC₁と、耐圧60［V］で静電容量10［μF］のコンデンサC₂を直列に接続したとき、その両端に加えることができる最大電圧Vの値として、正しいものを下から選べ。ただし、各コンデンサは、接続前に電荷は蓄えられていないものとする。
75［V］
13
図に示す回路において、スイッチSを閉じてコンデンサCを接続したところ、端子ab間の合成静電容量が6［μF］になった。接続したCの静電容量の値として、正しいものを下から選べ。
2［μF］
14
次の記述は、磁力線の性質について述べたものである。このうち誤っているものを下から選べ。
隣り合う磁力線は互いに引き付け合う。
15
次の記述は、導体、絶縁体および半導体の一般的な特徴について述べたものである。このうち誤っているものを下から選べ。
半導体の抵抗率は、温度の上昇に伴って増加する。
16
次の記述は、電流と電圧について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句を下から選べ。なお、同じ記号の[ ]内には、同じ字句が入るものとする。
(1)電流の大きさは、導線の断面を毎秒通過する[ ア ]で表すことができる。1秒間に[ イ ]の[ ア ]が通過するとき、その電流は1［A］となる。
(2)導電性物質上の2点間の電位差V［V］と、その間に流れる電流 I [A］の間には、定数をR［Ω]とすると、V ＝ R I または I ＝ V / R で表される関係が成り立つ。これを[ ウ ]の法則といい、比例定数 R［Ω]を［ エ ]という。また、R の逆数 G［S]を[ オ ]という。
電気量, 1［C］, オーム, 抵抗, コンダクタンス
17
次の記述は、回路素子の電気的性質について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句を下から選べ。
(1)ある長さと断面積を持ち、必要な材質でできている物質の電気抵抗の値は、一定の温度において、長さに［ ア ］。また、断面積に［ イ ］。
(2)平行開いたコンデンサは、向かい合った二つの金属板の間に［ ウ ］を蓄えることができ、静電容量は［ エ ］に反比例する。
(3)コイルの自己インダクタンスは、コイルの［ オ ］に比例する。
比例する, 反比例する, 電荷, 金属板の間隔, 巻数の2乗
18
次の記述は、電流とその時期作用について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句を下から選べ。なお、同じ記号の［ ］内には、同じ字句が入るものとする。
(1)電流の大きさ 𝐼［A］は、図に示す回路中の導線器の断面を通って［ ア ］間に移動する［ イ ］で表される。また、電子の移動によって電流が形成されている場合には、電流の方向は電子の移動する方向と［ ウ ］向きになる。
(2)直流電流が直線状の導線を流れているとき、導線のまわりには［ エ ］が生じ、電流の流れる方向を右ねじの進む方向にとれば、右右の回転する方向の［ エ ］ができる。この関係を［ オ ］の右ねじの法則という。
1秒, 電気量, 逆の, 磁界, アンペア
19
次の記述は、磁気誘導と磁性体について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句を下から選べ。
(1)磁気誘導を生ずる物質を磁性体といい、このうち、鉄、ニッケルなどの物質は［ ア ］という。
(2)加えた磁界と反対の方向にわずかに磁化される銅、銀などは［ イ ］という。
(3)磁化されていない鉄片を磁石のS極に近づけると磁石は鉄片を吸引する。これは、鉄片が磁化され磁石のS極に近い端が［ ウ ］になり、遠い端が［ エ ］になるため、このような現象を［ オ ］という。
強磁性体, 反磁性体, N極, S極, 磁気誘導
20
次の記述は、電気と磁気の一般的な関係について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを下から選べ。なお、同じ記号の［
］内には、同じ字句が入るものとする。
(1)磁界中で磁界の方向と直角に導線を動かすと、導線には［ A ］が発生する。
(2)磁界中で磁界の方向と直角に置かれた導線に電流を流すと、導線には［ B ］が働く。このときの磁界の方向、電流を流す方向および［ B ］の方向の関係を表すのが、フレミングの［ C ］の法則である。
A：起電力 B：力 C：左手
21
次の記述は、電気と磁気の一般的な関係について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを下から選べ。なお、同じ記号の［
］内には、同じ字句が入るものとする。
(1)磁界中で磁界の方向と直角に置かれた導線に電流を流すと、導線には［ A ］が働く。
(2)磁界中で磁界の方向と直角に導線を動かすと、導線には［ B ］が発生する。このときの磁界の方向、導線を動かす方向および［ B ］の方向の関係を表すのが、フレミングの［ C ］の法則である。
A：力 B：起電力 C：右手
22
次の記述は、図に示すように、磁束密度が𝑩［T］の一様な磁界中で長さが 𝒍 ［m］の直線導体 D を磁界に対して直角の方向に𝒗［m/s］の一定速度で移動させたときに生ずる現象について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せをしたから選べ。 ただし、磁界は紙面に平行で、D は紙面に直角を保つものとする。
(1)D に［ A ］𝒆が生ずる。これを［ B ］現象という。
(2)D の両端に生ずる𝒆の大きさは、［ C ］［V］である。
A：起電力 B：電磁誘導 C：𝑩𝒍𝒗
23
次の記述は、電磁界の誘電等による妨害の対策について述べたものである。このうち誤っているものを下から選べ。
有害な電磁波の放射を低減するため、送信機の給電線路は、平行二線式給電線を使用する。
24
図に示す無限長の直線導体Dから20［cm］離れた円周上のP点における磁界の強さHの値として、最も近いものを下から選べ。ただし、導体には10［A］の直流電流が流れているものとする。
8［A/m］
25
次の記述は、コイルの電気的性質について述べたものである。このうち正しいものを下から選べ。
電流が増加するとき、電流の増加を妨げる方向に起電力が生ずる。
26
図に示す回路において、直列に接続されたコイル𝐿₁および𝐿₂のインダクタンスがそれぞれ160［μH］および80［μH］、端子a b間の合成インダクタンスが100［μH］であるとき、相互インダクタンスMの値として、正しいものを下から選べ。
70［μH］
27
図に示す回路において、コイルに生じる磁束が同じ向きになるように、直列に接続した、コイル𝐿₁および𝐿₂のインダクタンスがそれぞれ80［μH］および20［μH］、端子a b間の合成インダクタンスが180［μH］であるとき、相互インダクタンスMの値として、正しいものを下から選べ。
40［μH］
28
レンツの法則についての記述として、正しいものを下から選べ。
電磁誘導によって生じる誘導起電力は、その起電力による誘導電流の作る磁束が、もとの磁束の変化を妨げる方向に発生する。
29
次の記述は、導線に高周波電流を流したときの現象について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを下から選べ。
周波数が高くなるほどの人口電流は導線の［ A ］に密集して流れ、導線の実効抵抗は、直流電流を流したときに比べて［ B ］なる。この現象を［ C ］という。
A：表面近く B：大きく C：表皮効果
30
次の表は、電気事量に関する国際単位系(SI)からの抜粋である。［ ］内に入れるべき字句を下から選べ。
量 単位記号
電荷 ［ ア ］
電界の強さ ［ イ ］
磁界の強さ ［ ウ ］
インダクタンス ［ エ ］
透磁率 ［ オ ］
C, V / m, A / m, H, H / m
31
キルヒホッフの第一法則についての記述として、正しいものを下から選べ。
回路網の任意の接続点に流入する電流の代数和は零である。
32
図に示す回路において、端子ab間に直流電圧を加えたところ、5［Ω］の抵抗に0.6［A］の電流が流れた。端子ab間に加えられた電圧の値として、正しいものを下から選べ。
15.8［V］
33
図に示す回路において、直流電源から流れる電流が10［mA］であるとき、3［kΩ］の抵抗に流れる電流𝐼₁の値として、正しいものを下から選べ。
4［mA］
34
図に示す回路において、直流電源から流れる電流が10［mA］であるとき、直流電源の電圧の値として、正しいものを下から選べ。
12［V］
35
図に示す回路において、直流電源から流れる電流が2［mA］であるとき、抵抗𝑅の値として、正しいものを下から選べ。
20［kΩ］
36
図に示す回路において、スイッチSを開いたときと閉じたときのab間の電圧の値の組合せとして、正しいものを下から選べ。
Sを開いたとき Sを閉じたとき 14.4［V］ 8［V］
37
図に示す回路において、スイッチSを開いたときのab間の電圧は、Sを閉じたときのab間の電圧の何倍になるか。正しいものを下から選べ。ただし、R₁ = 40［kΩ］、R₂= 40［kΩ］、R₃ = 10［kΩ］とする。
3倍
38
図に示す直流回路の点a、点bおよび点cの電位の値として、正しい組合せを下から選べ。ただし、点dの電位を零とする。
点a：22［V］ 点b：18［V］ 点c：4［V］
39
図に示す回路において、回路に流れる電流𝐼の値として、正しいものを下から選べ。
0.2［mA］
40
図に示す回路において、全ての抵抗(R₁〜R₄）で消費される全電力の値として、正しいものを下から選べ。ただし、抵抗は、R₁ = 6［Ω］、R₂ = 15［Ω］、R₃ = 30［Ω］およびR₄ ＝ 16［Ω］とする。
72［W］
41
図に示す回路において、端子ab間に直流電圧を加えたところ、2［kΩ］の抵抗に4［mA］の電流が流れた。8［kΩ］の抵抗に流れる電流の値として、正しいものを下から選べ。
6［mA］
42
次の記述は、図に示すブリッジ回路について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを下から選べ。ただし、R ₁ ≠ R ₂ とする。
(1)電流［ A ］が零となるとき、回路が平衡しているという。この時 𝐼 ₁ =［ B ］かつ［ C ］= 𝐼 ₄ となる。
(2)平衡条件は［ D ］である。
A：𝐼 ₅ B：𝐼 ₂ C：𝐼 ₃ D：R ₁ R ₄ ＝ R ₂ R ₃
43
図に示す回路において、電流 𝐼 の値として、正しいものを下から選べ。
0.50［A］
44
図に示す回路のリアクタンスの周波数特性を表すグラフとして、正しいものを下から選べ。
2
45
図に示す回路のリアクタンスの周波数特性を表すグラフとして、正しいものを下から選べ。
4
46
次の記述は、図に示す直流ブリッジ回路について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを下から選べ。ただし、回路は平衡状態にあるものとする。
(1)抵抗RₓおよびRᴄの両端の電圧 VxおよびVcは、次式で表される。
Vx = V × ［ A ］
Vc = V × ［ B ］
(2)Vx = Vcであるので、抵抗Rxの値は、次式で表される。
Rx = ［ C ］
A：Rx / ( Rᴀ ＋ Rx ) B：Rc / ( Rв ＋ Rс ) C: RᴀRᴄ / Rв
47
図に示す回路の合成インピーダンスの大きさの値として、正しいものを選べ。ただし、コンデンサC₁およびC₂のリアクタンスの値は、それぞれ24［Ω］および8［Ω］とする。
10［Ω］
48
図に示す回路の合成インピーダンスの大きさの値として、正しいものを選べ。ただし、コンデンサCおよびコイル𝐿のリアクタンスの値は、それぞれ24［Ω］および8［Ω］とする。
15［Ω］
49
図に示す𝐿𝑅並列回路の合成インピーダンス𝑍および電流𝐼の大きさの値の組合せとして、最も近いものを選べ。ただし、電源電圧𝐸を24［V］、コイル𝐿のリアクタンスを40［Ω］、抵抗𝑅の値を30［Ω］とする。
𝑍 ：24［Ω］ 𝐼：1.0［A］
50
図において、抵抗の値が5［Ω］、コンデンサのリアクタンスが8［Ω］およびコイルのリアクタンスが20［Ω］のとき、端子ab間の合成インピーダンスの大きさとして、正しいものを選べ。
13［Ω］
51
次の記述は、図に示す並列共振回路について述べたものである。このうち誤っているものを選べ。ただし、コイル𝐿およびコンデンサ𝐶には損失がないものとする。
共振時のインピーダンスは、最小になる。
52
図に示す直列共振回路において、共振周波数の値を2倍にするためには、可変コンデンサ𝐶vの容量を元の値の何倍にすれば良いか正しいものを選べ。ただし、抵抗𝑅およびコイル𝐿の値は変化しないものとする。
1 / 4 倍
53
図に示す直列共振回路において、共振周波数の値を1 / 2倍にするには、コイルのインダクタンス𝐿の値を何倍にすればよいか選べ。ただし、抵抗𝑅およびコンデンサの静電容量𝐶の値は変化しないものとする。
4倍
54
次の記述は、図に示す抵抗𝑅、コイル𝐿及びコンデンサ𝐶の直列回路について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句を下から選べ。
(1)回路が電源の周波数に共振したとき、回路のインピーダンスは［ ア ］になり、リアクタンス分は零になる。また、回路を流れる電流 Ỉ の大きさは［ イ ］となる。
(2)(1)の時、𝐿の両端の電圧、Ṽʟ と 𝐶 の両端の電圧 Ṽc は、大きさが［ ウ ］、位相の差は［ エ ］度であるので打ち消し合う。
(3)(1)の時、回路を流れる電流 Ỉ と交流電源 Ṽ との位相差は、［ オ ］度である。
最小, 最大, 等しく, 180, 0（零）
55
図に示す𝑅𝐿𝐶並列回路の共振周波数 𝑓 が 7［MHz］のとき、コイル 𝐿 の自己インダクタンスの値として、最も近いものを選べ。ただし、抵抗 𝑅 は50［kΩ］、コンデンサ 𝐶 の静電容量は25［pF］とする。また、π² ≒ 10 とする。
20［μH］
56
図に示す𝑅𝐿𝐶並列回路の共振周波数 𝑓 が 10［MHz］のとき、コイル 𝐿 の自己インダクタンスの値として、最も近いものを選べ。ただし、抵抗 𝑅 は50［kΩ］、コンデンサ 𝐶 の静電容量は5［pF］とする。また、π² ≒ 10 とする。
50［μH］
57
図に示すフィルタ回路の名称として、正しいものを選べ。
低域フィルタ（LPF）
58
図に示すフィルタ回路の名称として、正しいものを選べ。
高域フィルタ（HPF）
59
図に示す理想的な通過帯域および減衰帯域特性を持つフィルタの名称として、正しいものを選べ。
帯域フィルタ（BPF）
60
図に示すフィルタ回路の名称として、正しいものを選べ。
帯域除去フィルタ（BEF）
61
図に示す回路が電源周波数 𝑓 に共振しているとき、ab間のインピーダンスが10［kΩ］であった。このときの可変コンデンサ𝐶vの値として最も近いものを選べ。
200［pF］
62
図に示すように、1次側および2次側の巻線数がそれぞれ 𝑛₁ および 𝑛₂ で、巻数比 𝑛₁ / 𝑛₂ ＝ 5 の無損失の変成器(理想変成器)の2次側に8［Ω］の抵抗を接続したとき、端子abから見たインピーダンスの値として正しいものを選べ。
200［Ω］
63
次の記述は、不純物半導体について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
4個の価電子を持つシリコンや［ A ］に、3個の価電子を持つインジウムを不純物として微量を加えると、［ B ］半導体を作ることができ、また、5個の価電子を持つヒ素を不純物として微量加えると、［ C ］半導体を作ることができる。
A：ゲルマニウム B：P形 C：N形
64
次の記述は、半導体について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句を選べ。
(1)不純物をほとんど含まず、ほぼ純粋な半導体を［ ア ］半導体という。
(2)価原子が4個のシリコンなどの半導体に、3価のインジウムなどの原子を不純物として加えたものを［ イ ］形半導体といい、また、5価のアンチモンなどの原子を不純物として加えたものを［ ウ ］形半導体という。
(3)P形半導体の多数キャリアは［ エ ］であり、また、N形半導体の多数キャリアは［ オ ］である。
真性, P, N, 正孔, 電子
65
次にあげる半導体素子のうち、光信号を電気信号に変換する特性を利用するものを選べ。
ホトダイオード
66
可変容量ダイオードの特性を利用した主な回路の名称を選べ。
受信機の高周波同調回路
67
次にあげるダイオードのうち、マイクロ波(SHF)の発振素子として利用するものを選べ。
バラクタダイオード
68
ツェナーダイオードの主な用途として適切な回路の名称を選べ。
定電圧回路
69
次の記述は、各種半導体素子について述べたものである。このうち誤っているものを選べ。
サーミスタは、温度が変化しても抵抗値が変化しない素子で、電子回路の温度補償用などに用いられる。
70
次の記述は、半導体素子について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
(1)サーミスタは、［ A ］の変化によって抵抗値が大きく変化する特性を利用している。
(2)バリスタは、［ B ］の変化によって［ C ］が大きく変化する特性を利用している。
A：温度 B：電圧 C：抵抗値
71
次の記述は、半導体素子について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
(1)逆バイアスを加えたPN接合面に加える光の強度により、流れる電流の値が変化することを利用するものは、［ A ］である。
(2)逆方向電圧を加えると、ある電圧で電流が急激に流れ、端子電圧がほぼ一定となることを利用するものは、［ B ］ダイオードであり、図記号は［ C ］で表される。
A：ホトダイオード B：ツェナー C：図2
72
次の記述は、各種ダイオードの動作特性について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句を選べ。
(1)トンネルダイオードは、不純物の濃度が他の一般のダイオードに比べて［ ア ］く、順方向電圧を加えると［ イ ］を示す領域がある。
(2)バラタクダイオードは、加えられた逆方向電圧を変化させると［ ウ ］が変化する特性を示す。
(3)発光ダイオードは、［ エ ］方向の電圧をかけると接合面が発光する。
(4)インパットダイオードは、［ オ ］方向電圧を加えてマイクロ波の発振に利用している。
高, 負性抵抗特性, 静電容量, 順, 逆
73
次の記述は、各種ダイオードについて述べたものである［ ］内に入れるべき字句を選べ。
(1)逆方向のバイアス電圧を加えたPN接合部に光を当てると、光の強さに［ ア ］した電流が生ずる特性を持つのは、［ イ ］である。
(2)電気信号を光信号に変換する特性を持つダイオードに、［ ウ ］がある。
(3)PN接合に［ エ ］の電圧を加えたときに、加える電圧により静電容量が変化するという特性を利用するのは、［ オ ］である。
比例, フォトダイオード, 発光ダイオード, 逆方向, バラクタダイオード
74
次の記述は、バイポーラトランジスタについて述べたものである。このうち誤っているものを選べ。
エミッタ接地増幅回路の直流電流増幅率 β の値は、一般的には 1 よりわずかに小さい。
75
次に挙げる半導体素子または電子管のうち、電極の名称がアノード、カソードおよびゲートであるものを選べ。
サイリスタ(シリコン制御整流素子)
76
次の記述は、接合形トランジスタの電極の名称を導通試験により調べる方法について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
トランジスタの電極を①、②および③とし、これらの間の導通を調べたところ、②から①には電流が流れ、③から①には電流が流れなかった。電極①をコレクタとした場合、電極②の名称は［ A ］であり、このトランジスタは［ B ］形である。
A：ベース B：NPN
77
図に示す電界効果トランジスタ(FET)の形名および図中の A に該当する電極の名称として、正しい組合せを選べ。
形名：Pチャネル接合形 電極名A：ソース
78
次の記述は、図に示す電界効果トランジスタ(FET)について述べたものである。このうち誤っているものを選べ。
図1は、Nチャネル接合形FETの図記号である。
79
次の記述は、電界効果トランジスタ(FET)について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
FETは、［ A ］トランジスタと呼ばれ、半導体中のキャリアの流れを、ゲート電極に［ B ］によって制御する。
A：ユニポーラ B：加える電圧
80
次の記述は、電界効果トランジスタ(FET)について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句を選べ。
バイポーラ形トランジスタの電極名をFETの電極名と対比すると、エミッタは［ ア ］に、コレクタは［ イ ］に、ベースは［ ウ ］に相当する。また、バイポーラ形トランジスタは［ エ ］トランジスタであるのに対し、FETは［ オ ］トランジスタである。
ソース, ドレイン, ゲート, 電流制御形, 電圧制御形
81
次の記述は、図に示すトランジスタ増幅回路について述べたものである。［ ］に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
図の回路は［ A ］形トランジスタを用いて、［ B ］を共通端子として接地した増幅回路の一例である。この回路は、出力側から入力側への［ C ］が高周波増幅に適している。
A：NPN B：ベース C：帰還
82
次の記述は、図に示す増幅回路について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句を選べ。
(1)この回路は、［ ア ］回路とも呼ばれる。
(2)入力電圧と出力電圧の位相は、［ イ ］である。
(3)電圧増幅度の大きさは、約［ ウ ］である。
(4)［ エ ］インピーダンスは、一般に他の接地方式の増幅回路に比べて高い。
(5)この回路は、［ オ ］変換回路としても用いられる。
エミッタホロワ, 同位相, 1, 入力, インピーダンス
83
次の記述は、図に示す増幅回路について述べたものである。このうち誤っているものを選べ。
入力電圧と出力電圧の位相は、逆位相である。
84
次の記述は、図に示すトランジスタ増幅回路について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
(1)電圧増幅度は、ほぼ［ A ］に等しい。
(2)一般に他の接地方式の増幅回路に比べて、入力インピーダンスは［ B ］、出力インピーダンスは［ C ］。
A：1 B：高く C：低い
85
次の記述は、図に示すトランジスタ( Tr )増幅回路について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。ただし、入力電圧を 𝑉𝑖［V］、出力電圧を 𝑉𝑜［V］、直流電源の内部抵抗を零とし、また、静電容量 𝐶₁ および 𝐶₂ の影響は無視するものとする。
(1)回路は［ A ］増幅回路である。
(2)電圧増幅度 𝑉𝑜 / 𝑉𝑖 の大きさは、ほぼ［ B ］である。
(3)𝑉𝑖 と 𝑉𝑜 の位相は、［ C ］である。
A：コレクタ接地 B：1 C：同相
86
図に示すトランジスタ( Tr ) 回路のコレクタ電流 𝐼c およびコレクタ ー エミッタ間電圧 𝑉cᴇ の値の正しい組合せを選べ。ただし、Tr のエミッタ接地直流電流増幅率 𝒉𝟋ᴇ を100とし、ベース電流 𝐼ᴃ を40[μA］とする。
𝐼c ：4［mA］ 𝑉cᴇ： 8［V］
87
次の記述は、図に示すトランジスタ( Tr )回路のバイアス回路について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。ただし、Trの直流電流増幅率 𝒉ғᴇ は充分大きいものとし、動作時のベース ー エミッタ間、電圧は約0.5［V］とする。
(1) Tr の 𝒉ғᴇ が充分大きく、抵抗 R₁ 、R₂ を流れる電流に比べ、ベース電流が十分小さいとき、ベース電位 𝑉в は R₁ とR₂ の比で定まり、約［ A ］となる。
(2)Tr のベース ー エミッタ間電圧が与えられているので、エミッタ電位𝑉ᴇ は、約2.5［V］となる。よって、エミッタ電流は約［ B ］となる。
(3)Trの 𝒉ғᴇ が十分大きいので、コレクタ電流はエミッタ電流とほぼ同じであり、コレクタの電位 𝑉c は、約［ C ］となる。
A：3.0［V］ B：2.5［mA］ C：7.0［V］
88
図に示す電界効果トランジスタ(FET)を用いた増幅回路において、ドレイン電流(直流) 𝐼ᴅ が1［mA］、自己バイアス電圧 𝑬ₛ が0.6［V］、相互コンダクタンス 𝑔ₘ が8［mS］であった。このときの電圧増幅度の大きさの値 𝐴v とバイアス抵抗 𝑅s の値の正しい組合せを選べ。ただし、負荷抵抗 𝑅𖾘 の値は4
［kΩ］、ドレイン抵抗 𝑟ᴅ は、𝑟ᴅ ＞ 𝑅𖾘 とし、コンデンサ 𝐶s のインピーダンスは十分小さな値とする。
𝐴v： 32 𝑅s：600［Ω］
89
次の記述は、図に示すFET増幅回路について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
(1 )回路は、［ A ］接地増幅回路であり、バイポーラトランジスタの［ B ］接地増幅回路に相当する。
(2)電圧増幅度は、1より［ C ］、入力電圧と出力電圧の位相は、逆相となる。
A：ソース B：エミッタ C：大きくすることができ
90
次の記述は、図に示す電界効果トランジスタ(FET)増幅回路について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
(1)この回路は、［ A ］接地増幅回路でソースホロワ回路ともいう。
(2)電圧増幅度は、ほぼ1であり、入力電圧と出力電圧は［ B ］位相である。
(3)他の接地方式の増幅回路に比べて、出力インピーダンスが［ C ］。
A：ドレイン B：同 C：低い
91
次の記述は、増幅回路に負帰還をかけたときの特徴について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
(1)増幅度が［ A ］なり、出力される雑音やひずみが［ B ］する。
(2)増幅度が3［dB］低下する周波数帯域幅は［ C ］なる。
A：小さく B：減少 C：広く
92
増幅器の出力側において、基本波の電圧の実行値が50［V］、第2高調波の電圧の実効値が0.4［V］、第3高調波の電圧の実効値が0.3［V］であった。このときのひずみ率の値として、正しいものを選べ。
1［％］
93
図に示すコルピッツ発振回路の原理図における発振周波数の値として、最も近いものを選べ。ただし、コンデンサ 𝐶₁ および 𝐶₂ の静電容量はそれぞれ0.004[μF］、コイル 𝐿 のインダクタンスは2[mH］とする。
80［kHz］
94
図に示す発振回路の原理図の名称として、正しいものを選べ。
コルピッツ発振回路
95
図に示す発振回路の原理図の名称として、正しいものを選べ。
ハートレー発振回路
96
図に示す回路のうち、水晶振動子の電気的等価回路として、正しいものを選べ。
5
97
次の記述は、水晶発振回路の原理について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
図に示すピアースBE水晶発振回路の原理図において、水晶発振子 𝑋 のリアクタンスが誘導性で、ベースとコレクタ間のリアクタンスが容量性であるから、コレクタとエミッタ間の同調回路(コイル 𝐿 および可変コンデンサ 𝐶v の並列回路)が［ A ］の場合に発振する。したがって、発振を持続させるには、𝐿 と𝐶v による同調周波数を発振周波数よりもわずかに［ B ］すればよい。
A：誘導性 B：高く
98
次の記述は、水晶発振回路の原理について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
図に示すピアースBE水晶発振回路の原理図において、水晶発振子 𝑋₁ のリアクタンスは誘導性であるから、ベースとコレクタ間のリアクタンス 𝑋₂ が［ A ］、コレクタとエミッタ間の同調回路(コイル 𝐿 および可変コンデンサ 𝐶v の並列回路)が［ B ］の場合に発振する。
A：容量性 B：誘導性
99
次の記述は、水晶発振回路の原理について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
図に示すピアースCB水晶発振回路の原理図において、水晶発振子 𝑋 のリアクタンスが誘導性で、ベースとエミッタ間のリアクタンスが容量性であるから、コレクタとエミッタ間の同調回路(コイル 𝐿 および可変コンデンサ 𝐶v の並列回路)が［ A ］の場合に発振する。したがって、発振を持続させるには、 𝐿 と 𝐶v による同調周波数を発振周波数よりもわずかに［ B ］すればよい。
A：容量性 B：低く
100
次の記述は、水晶発振器の発振周波数を安定にする方法について述べたものであるが、誤っているものを選べ。
水晶発振器と負荷との結合を密にする。
放射線計測学
放射線計測学
ユーザ名非公開 · 458問 · 1日前放射線計測学
放射線計測学
458問 • 1日前ユーザ名非公開
放射線計測学
放射線計測学
ユーザ名非公開 · 458問 · 1日前放射線計測学
放射線計測学
458問 • 1日前ユーザ名非公開
ツイストペアケーブル
ツイストペアケーブル
日下瑠惟 · 10問 · 1日前ツイストペアケーブル
ツイストペアケーブル
10問 • 1日前基礎～応用
基礎～応用
日下瑠惟 · 8問 · 1日前基礎～応用
基礎～応用
8問 • 1日前放射線物理学
放射線物理学
ユーザ名非公開 · 34問 · 8日前放射線物理学
放射線物理学
34問 • 8日前ユーザ名非公開
Plumbing Arithmetic 1.1
Plumbing Arithmetic 1.1
ユーザ名非公開 · 50問 · 13日前Plumbing Arithmetic 1.1
Plumbing Arithmetic 1.1
50問 • 13日前ユーザ名非公開
Practical Problems 2
Practical Problems 2
ユーザ名非公開 · 50問 · 13日前Practical Problems 2
Practical Problems 2
50問 • 13日前ユーザ名非公開
2023年度 機械保全技能検定学科試験1級（真偽法)
2023年度 機械保全技能検定学科試験1級（真偽法)
ユーザ名非公開 · 25問 · 23日前2023年度 機械保全技能検定学科試験1級（真偽法)
2023年度 機械保全技能検定学科試験1級（真偽法)
25問 • 23日前ユーザ名非公開
危険物甲種【物理学及び化学】
危険物甲種【物理学及び化学】
Tai Yama · 100問 · 27日前危険物甲種【物理学及び化学】
危険物甲種【物理学及び化学】
100問 • 27日前JATI 3章 バイメカ
JATI 3章 バイメカ
ユーザ名非公開 · 45問 · 1ヶ月前JATI 3章 バイメカ
JATI 3章 バイメカ
45問 • 1ヶ月前ユーザ名非公開
令和3年8月 分析に関する概論
令和3年8月 分析に関する概論
ユーザ名非公開 · 16問 · 1ヶ月前令和3年8月 分析に関する概論
令和3年8月 分析に関する概論
16問 • 1ヶ月前ユーザ名非公開
m6 completo
m6 completo
ユーザ名非公開 · 166問 · 1ヶ月前m6 completo
m6 completo
166問 • 1ヶ月前ユーザ名非公開
2023過去問
2023過去問
ユーザ名非公開 · 50問 · 1ヶ月前2023過去問
2023過去問
50問 • 1ヶ月前ユーザ名非公開
中学1年理科4
中学1年理科4
つきか · 85問 · 1ヶ月前中学1年理科4
中学1年理科4
85問 • 1ヶ月前情報Ⅱ（ネットワークとマルチメディア）
情報Ⅱ（ネットワークとマルチメディア）
ユーザ名非公開 · 87問 · 2ヶ月前情報Ⅱ（ネットワークとマルチメディア）
情報Ⅱ（ネットワークとマルチメディア）
87問 • 2ヶ月前ユーザ名非公開
ITパスポート
ITパスポート
T S · 100問 · 2ヶ月前ITパスポート
ITパスポート
100問 • 2ヶ月前ITパスポートその4
ITパスポートその4
T S · 100問 · 2ヶ月前ITパスポートその4
ITパスポートその4
100問 • 2ヶ月前COMPETENCE 7
COMPETENCE 7
Emm · 50問 · 2ヶ月前COMPETENCE 7
COMPETENCE 7
50問 • 2ヶ月前Emm
化学記憶系確殺
化学記憶系確殺
智 · 485問 · 2ヶ月前化学記憶系確殺
化学記憶系確殺
485問 • 2ヶ月前智
情報処理安全確保支援士
情報処理安全確保支援士
岸本俊也 · 53問 · 3ヶ月前情報処理安全確保支援士
情報処理安全確保支援士
53問 • 3ヶ月前問題一覧
1
次の記述は、電気現象について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句の正しい組合せを下から選べ。
図に示すように、プラス（＋）に帯電している物体 a に、帯電していない導体 b を近づけると、導体 b において、物体 a に近い側には[ A ]の電荷が生じ、物体 a に遠い側には[ B ]の電荷が生ずる。この現象を[ C ]という。
A マイナス B プラス C 静電誘導
2
次の記述は、静電気に関するクローンの法則について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組み合わの正しい組合せを下から選べ。
［
(1)二つの点電荷Q₁［C］、Q₂［C］が距離 r ［m］離れて置かれているとき、両電荷の間に、働く力の大きさは、［ A ］に比例し、［ B ］に反比例する。
(2)このとき働く力の方向は、両電荷が同じ符号のときは、［ C ］する方向に働く。
A ：Q₁ × Q₂ B：r² C：反発
3
次の記述は、二つの電荷の間に働く力について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句を下から選べ。
二つの電荷の間に働く力の大きさは、［ ア ］の積に［ イ ］し、電荷間の距離の［ ウ ］に［ エ ］する。このときの力の方向は、二つの電荷を結ぶ直線上にある。これを静電気に関する［ オ ］という。
電荷, 比例, 2乗, 反比例, クローンの法則
4
図に示す、平行平板コンデンサの静電容量の値として、正しいものを下から選べ。ただし、電極の面積Sを20［cm²］（20×10¯⁴［m²］)、電極間の距離 d を1［mm］、真空の誘電率ℇ₀を9×10⁻¹²［F / m］および誘電体の比誘電率 ℇɾ を5とする。
90［pF］
5
次の記述は、コンデンサの静電容量について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句を下から選べ。
(1)平行板コンデンサの静電容量は、向かい合った二つの金属板の間隔［ ア ］し、金属板の面積［ イ ］する。また、両金属板の間に比誘電率が2の誘電体を満たしたときの静電容量は、空気を満たしたときの静電容量のほぼ［ ウ ］倍になる。
(2)1［V］の電圧を加えたときに［ エ ］［C］の電荷を蓄えるコンデンサの静電容量が1［F］である。
(3)静電容量が5［μF］のコンデンサに［ オ ］［V］の電圧を加えたとき、蓄えられる電荷の量は250［μC］である。
に反比例, に比例, 2, 1, 50
6
図に示す回路において、端子ab間の電圧が30［V］であるとき、端子cd間の電圧の値として、正しいものを下から選べ。ただし、電圧を加える前の各コンデンサに蓄えられている電荷の量は、零とする。
20［V］
7
次の記述は、コンデンサについて述べたものである。［ ］内に入れるべき字句をし下から選べ。
(1)平行開いたコンデンサーは、向かい合った2つの金属板の間に［ ア ］を蓄えることができ、静電容量は、金属版の間隔に［ イ ］する。
(2)コンデンサーは、静電容量が［ ウ ］ほど交流電流をよく通し、コンデンサーを流れる電流の大きさは、静電容量及び電圧が一定のとき、［ エ ］に比例し、位相は電圧より90度［ オ ］。
電荷, 反比例, 大きい, 周波数, 進む
8
コンデンサに直流電圧40［V］を加えたとき、0.2［C］の電荷が蓄えられた。このときコンデンサに蓄えられるエネルギーの値として、正しいものを下から選べ。
4［J］
9
図に示す回路において、静電容量22［μF］のコンデンサに蓄えられている電荷が16［μC］であるとき、静電容量33［μF］のコンデンサに蓄えられている電荷の値として、正しいものを下から選べ。
24［μC］
10
頭に示す静電容量の等しいコンデンサC、C、CおよびCからなる回路に9［V］の直流電圧を加えたところ、コンデンサCには6［μC］の電荷が蓄えられた。各コンデンサの静電容量の値とコンデンサCに蓄えられている電荷の値の組み合わせとして、正しいものを下から選べ。
静電容量 2［μF］ C₄の電荷 18［μC］
11
図に示すように耐圧50［V］で静電容量30［μF］のコンデンサと、耐圧150［V］で静電容量20［μF]のコンデンサを直列に接続したとき、合成静電容量Cの値およびその両端に加えることができる最大電圧Vの値として、正しい組合せを下から選べ。ただし、各コンデンサは、接続前に電荷は蓄えられていないものとする。
C：12［μF］ V：125［V］
12
図に示すように耐圧30［V］で静電容量40［μF］のコンデンサC₁と、耐圧60［V］で静電容量10［μF］のコンデンサC₂を直列に接続したとき、その両端に加えることができる最大電圧Vの値として、正しいものを下から選べ。ただし、各コンデンサは、接続前に電荷は蓄えられていないものとする。
75［V］
13
図に示す回路において、スイッチSを閉じてコンデンサCを接続したところ、端子ab間の合成静電容量が6［μF］になった。接続したCの静電容量の値として、正しいものを下から選べ。
2［μF］
14
次の記述は、磁力線の性質について述べたものである。このうち誤っているものを下から選べ。
隣り合う磁力線は互いに引き付け合う。
15
次の記述は、導体、絶縁体および半導体の一般的な特徴について述べたものである。このうち誤っているものを下から選べ。
半導体の抵抗率は、温度の上昇に伴って増加する。
16
次の記述は、電流と電圧について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句を下から選べ。なお、同じ記号の[ ]内には、同じ字句が入るものとする。
(1)電流の大きさは、導線の断面を毎秒通過する[ ア ]で表すことができる。1秒間に[ イ ]の[ ア ]が通過するとき、その電流は1［A］となる。
(2)導電性物質上の2点間の電位差V［V］と、その間に流れる電流 I [A］の間には、定数をR［Ω]とすると、V ＝ R I または I ＝ V / R で表される関係が成り立つ。これを[ ウ ]の法則といい、比例定数 R［Ω]を［ エ ]という。また、R の逆数 G［S]を[ オ ]という。
電気量, 1［C］, オーム, 抵抗, コンダクタンス
17
次の記述は、回路素子の電気的性質について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句を下から選べ。
(1)ある長さと断面積を持ち、必要な材質でできている物質の電気抵抗の値は、一定の温度において、長さに［ ア ］。また、断面積に［ イ ］。
(2)平行開いたコンデンサは、向かい合った二つの金属板の間に［ ウ ］を蓄えることができ、静電容量は［ エ ］に反比例する。
(3)コイルの自己インダクタンスは、コイルの［ オ ］に比例する。
比例する, 反比例する, 電荷, 金属板の間隔, 巻数の2乗
18
次の記述は、電流とその時期作用について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句を下から選べ。なお、同じ記号の［ ］内には、同じ字句が入るものとする。
(1)電流の大きさ 𝐼［A］は、図に示す回路中の導線器の断面を通って［ ア ］間に移動する［ イ ］で表される。また、電子の移動によって電流が形成されている場合には、電流の方向は電子の移動する方向と［ ウ ］向きになる。
(2)直流電流が直線状の導線を流れているとき、導線のまわりには［ エ ］が生じ、電流の流れる方向を右ねじの進む方向にとれば、右右の回転する方向の［ エ ］ができる。この関係を［ オ ］の右ねじの法則という。
1秒, 電気量, 逆の, 磁界, アンペア
19
次の記述は、磁気誘導と磁性体について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句を下から選べ。
(1)磁気誘導を生ずる物質を磁性体といい、このうち、鉄、ニッケルなどの物質は［ ア ］という。
(2)加えた磁界と反対の方向にわずかに磁化される銅、銀などは［ イ ］という。
(3)磁化されていない鉄片を磁石のS極に近づけると磁石は鉄片を吸引する。これは、鉄片が磁化され磁石のS極に近い端が［ ウ ］になり、遠い端が［ エ ］になるため、このような現象を［ オ ］という。
強磁性体, 反磁性体, N極, S極, 磁気誘導
20
次の記述は、電気と磁気の一般的な関係について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを下から選べ。なお、同じ記号の［
］内には、同じ字句が入るものとする。
(1)磁界中で磁界の方向と直角に導線を動かすと、導線には［ A ］が発生する。
(2)磁界中で磁界の方向と直角に置かれた導線に電流を流すと、導線には［ B ］が働く。このときの磁界の方向、電流を流す方向および［ B ］の方向の関係を表すのが、フレミングの［ C ］の法則である。
A：起電力 B：力 C：左手
21
次の記述は、電気と磁気の一般的な関係について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを下から選べ。なお、同じ記号の［
］内には、同じ字句が入るものとする。
(1)磁界中で磁界の方向と直角に置かれた導線に電流を流すと、導線には［ A ］が働く。
(2)磁界中で磁界の方向と直角に導線を動かすと、導線には［ B ］が発生する。このときの磁界の方向、導線を動かす方向および［ B ］の方向の関係を表すのが、フレミングの［ C ］の法則である。
A：力 B：起電力 C：右手
22
次の記述は、図に示すように、磁束密度が𝑩［T］の一様な磁界中で長さが 𝒍 ［m］の直線導体 D を磁界に対して直角の方向に𝒗［m/s］の一定速度で移動させたときに生ずる現象について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せをしたから選べ。 ただし、磁界は紙面に平行で、D は紙面に直角を保つものとする。
(1)D に［ A ］𝒆が生ずる。これを［ B ］現象という。
(2)D の両端に生ずる𝒆の大きさは、［ C ］［V］である。
A：起電力 B：電磁誘導 C：𝑩𝒍𝒗
23
次の記述は、電磁界の誘電等による妨害の対策について述べたものである。このうち誤っているものを下から選べ。
有害な電磁波の放射を低減するため、送信機の給電線路は、平行二線式給電線を使用する。
24
図に示す無限長の直線導体Dから20［cm］離れた円周上のP点における磁界の強さHの値として、最も近いものを下から選べ。ただし、導体には10［A］の直流電流が流れているものとする。
8［A/m］
25
次の記述は、コイルの電気的性質について述べたものである。このうち正しいものを下から選べ。
電流が増加するとき、電流の増加を妨げる方向に起電力が生ずる。
26
図に示す回路において、直列に接続されたコイル𝐿₁および𝐿₂のインダクタンスがそれぞれ160［μH］および80［μH］、端子a b間の合成インダクタンスが100［μH］であるとき、相互インダクタンスMの値として、正しいものを下から選べ。
70［μH］
27
図に示す回路において、コイルに生じる磁束が同じ向きになるように、直列に接続した、コイル𝐿₁および𝐿₂のインダクタンスがそれぞれ80［μH］および20［μH］、端子a b間の合成インダクタンスが180［μH］であるとき、相互インダクタンスMの値として、正しいものを下から選べ。
40［μH］
28
レンツの法則についての記述として、正しいものを下から選べ。
電磁誘導によって生じる誘導起電力は、その起電力による誘導電流の作る磁束が、もとの磁束の変化を妨げる方向に発生する。
29
次の記述は、導線に高周波電流を流したときの現象について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを下から選べ。
周波数が高くなるほどの人口電流は導線の［ A ］に密集して流れ、導線の実効抵抗は、直流電流を流したときに比べて［ B ］なる。この現象を［ C ］という。
A：表面近く B：大きく C：表皮効果
30
次の表は、電気事量に関する国際単位系(SI)からの抜粋である。［ ］内に入れるべき字句を下から選べ。
量 単位記号
電荷 ［ ア ］
電界の強さ ［ イ ］
磁界の強さ ［ ウ ］
インダクタンス ［ エ ］
透磁率 ［ オ ］
C, V / m, A / m, H, H / m
31
キルヒホッフの第一法則についての記述として、正しいものを下から選べ。
回路網の任意の接続点に流入する電流の代数和は零である。
32
図に示す回路において、端子ab間に直流電圧を加えたところ、5［Ω］の抵抗に0.6［A］の電流が流れた。端子ab間に加えられた電圧の値として、正しいものを下から選べ。
15.8［V］
33
図に示す回路において、直流電源から流れる電流が10［mA］であるとき、3［kΩ］の抵抗に流れる電流𝐼₁の値として、正しいものを下から選べ。
4［mA］
34
図に示す回路において、直流電源から流れる電流が10［mA］であるとき、直流電源の電圧の値として、正しいものを下から選べ。
12［V］
35
図に示す回路において、直流電源から流れる電流が2［mA］であるとき、抵抗𝑅の値として、正しいものを下から選べ。
20［kΩ］
36
図に示す回路において、スイッチSを開いたときと閉じたときのab間の電圧の値の組合せとして、正しいものを下から選べ。
Sを開いたとき Sを閉じたとき 14.4［V］ 8［V］
37
図に示す回路において、スイッチSを開いたときのab間の電圧は、Sを閉じたときのab間の電圧の何倍になるか。正しいものを下から選べ。ただし、R₁ = 40［kΩ］、R₂= 40［kΩ］、R₃ = 10［kΩ］とする。
3倍
38
図に示す直流回路の点a、点bおよび点cの電位の値として、正しい組合せを下から選べ。ただし、点dの電位を零とする。
点a：22［V］ 点b：18［V］ 点c：4［V］
39
図に示す回路において、回路に流れる電流𝐼の値として、正しいものを下から選べ。
0.2［mA］
40
図に示す回路において、全ての抵抗(R₁〜R₄）で消費される全電力の値として、正しいものを下から選べ。ただし、抵抗は、R₁ = 6［Ω］、R₂ = 15［Ω］、R₃ = 30［Ω］およびR₄ ＝ 16［Ω］とする。
72［W］
41
図に示す回路において、端子ab間に直流電圧を加えたところ、2［kΩ］の抵抗に4［mA］の電流が流れた。8［kΩ］の抵抗に流れる電流の値として、正しいものを下から選べ。
6［mA］
42
次の記述は、図に示すブリッジ回路について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを下から選べ。ただし、R ₁ ≠ R ₂ とする。
(1)電流［ A ］が零となるとき、回路が平衡しているという。この時 𝐼 ₁ =［ B ］かつ［ C ］= 𝐼 ₄ となる。
(2)平衡条件は［ D ］である。
A：𝐼 ₅ B：𝐼 ₂ C：𝐼 ₃ D：R ₁ R ₄ ＝ R ₂ R ₃
43
図に示す回路において、電流 𝐼 の値として、正しいものを下から選べ。
0.50［A］
44
図に示す回路のリアクタンスの周波数特性を表すグラフとして、正しいものを下から選べ。
2
45
図に示す回路のリアクタンスの周波数特性を表すグラフとして、正しいものを下から選べ。
4
46
次の記述は、図に示す直流ブリッジ回路について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを下から選べ。ただし、回路は平衡状態にあるものとする。
(1)抵抗RₓおよびRᴄの両端の電圧 VxおよびVcは、次式で表される。
Vx = V × ［ A ］
Vc = V × ［ B ］
(2)Vx = Vcであるので、抵抗Rxの値は、次式で表される。
Rx = ［ C ］
A：Rx / ( Rᴀ ＋ Rx ) B：Rc / ( Rв ＋ Rс ) C: RᴀRᴄ / Rв
47
図に示す回路の合成インピーダンスの大きさの値として、正しいものを選べ。ただし、コンデンサC₁およびC₂のリアクタンスの値は、それぞれ24［Ω］および8［Ω］とする。
10［Ω］
48
図に示す回路の合成インピーダンスの大きさの値として、正しいものを選べ。ただし、コンデンサCおよびコイル𝐿のリアクタンスの値は、それぞれ24［Ω］および8［Ω］とする。
15［Ω］
49
図に示す𝐿𝑅並列回路の合成インピーダンス𝑍および電流𝐼の大きさの値の組合せとして、最も近いものを選べ。ただし、電源電圧𝐸を24［V］、コイル𝐿のリアクタンスを40［Ω］、抵抗𝑅の値を30［Ω］とする。
𝑍 ：24［Ω］ 𝐼：1.0［A］
50
図において、抵抗の値が5［Ω］、コンデンサのリアクタンスが8［Ω］およびコイルのリアクタンスが20［Ω］のとき、端子ab間の合成インピーダンスの大きさとして、正しいものを選べ。
13［Ω］
51
次の記述は、図に示す並列共振回路について述べたものである。このうち誤っているものを選べ。ただし、コイル𝐿およびコンデンサ𝐶には損失がないものとする。
共振時のインピーダンスは、最小になる。
52
図に示す直列共振回路において、共振周波数の値を2倍にするためには、可変コンデンサ𝐶vの容量を元の値の何倍にすれば良いか正しいものを選べ。ただし、抵抗𝑅およびコイル𝐿の値は変化しないものとする。
1 / 4 倍
53
図に示す直列共振回路において、共振周波数の値を1 / 2倍にするには、コイルのインダクタンス𝐿の値を何倍にすればよいか選べ。ただし、抵抗𝑅およびコンデンサの静電容量𝐶の値は変化しないものとする。
4倍
54
次の記述は、図に示す抵抗𝑅、コイル𝐿及びコンデンサ𝐶の直列回路について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句を下から選べ。
(1)回路が電源の周波数に共振したとき、回路のインピーダンスは［ ア ］になり、リアクタンス分は零になる。また、回路を流れる電流 Ỉ の大きさは［ イ ］となる。
(2)(1)の時、𝐿の両端の電圧、Ṽʟ と 𝐶 の両端の電圧 Ṽc は、大きさが［ ウ ］、位相の差は［ エ ］度であるので打ち消し合う。
(3)(1)の時、回路を流れる電流 Ỉ と交流電源 Ṽ との位相差は、［ オ ］度である。
最小, 最大, 等しく, 180, 0（零）
55
図に示す𝑅𝐿𝐶並列回路の共振周波数 𝑓 が 7［MHz］のとき、コイル 𝐿 の自己インダクタンスの値として、最も近いものを選べ。ただし、抵抗 𝑅 は50［kΩ］、コンデンサ 𝐶 の静電容量は25［pF］とする。また、π² ≒ 10 とする。
20［μH］
56
図に示す𝑅𝐿𝐶並列回路の共振周波数 𝑓 が 10［MHz］のとき、コイル 𝐿 の自己インダクタンスの値として、最も近いものを選べ。ただし、抵抗 𝑅 は50［kΩ］、コンデンサ 𝐶 の静電容量は5［pF］とする。また、π² ≒ 10 とする。
50［μH］
57
図に示すフィルタ回路の名称として、正しいものを選べ。
低域フィルタ（LPF）
58
図に示すフィルタ回路の名称として、正しいものを選べ。
高域フィルタ（HPF）
59
図に示す理想的な通過帯域および減衰帯域特性を持つフィルタの名称として、正しいものを選べ。
帯域フィルタ（BPF）
60
図に示すフィルタ回路の名称として、正しいものを選べ。
帯域除去フィルタ（BEF）
61
図に示す回路が電源周波数 𝑓 に共振しているとき、ab間のインピーダンスが10［kΩ］であった。このときの可変コンデンサ𝐶vの値として最も近いものを選べ。
200［pF］
62
図に示すように、1次側および2次側の巻線数がそれぞれ 𝑛₁ および 𝑛₂ で、巻数比 𝑛₁ / 𝑛₂ ＝ 5 の無損失の変成器(理想変成器)の2次側に8［Ω］の抵抗を接続したとき、端子abから見たインピーダンスの値として正しいものを選べ。
200［Ω］
63
次の記述は、不純物半導体について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
4個の価電子を持つシリコンや［ A ］に、3個の価電子を持つインジウムを不純物として微量を加えると、［ B ］半導体を作ることができ、また、5個の価電子を持つヒ素を不純物として微量加えると、［ C ］半導体を作ることができる。
A：ゲルマニウム B：P形 C：N形
64
次の記述は、半導体について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句を選べ。
(1)不純物をほとんど含まず、ほぼ純粋な半導体を［ ア ］半導体という。
(2)価原子が4個のシリコンなどの半導体に、3価のインジウムなどの原子を不純物として加えたものを［ イ ］形半導体といい、また、5価のアンチモンなどの原子を不純物として加えたものを［ ウ ］形半導体という。
(3)P形半導体の多数キャリアは［ エ ］であり、また、N形半導体の多数キャリアは［ オ ］である。
真性, P, N, 正孔, 電子
65
次にあげる半導体素子のうち、光信号を電気信号に変換する特性を利用するものを選べ。
ホトダイオード
66
可変容量ダイオードの特性を利用した主な回路の名称を選べ。
受信機の高周波同調回路
67
次にあげるダイオードのうち、マイクロ波(SHF)の発振素子として利用するものを選べ。
バラクタダイオード
68
ツェナーダイオードの主な用途として適切な回路の名称を選べ。
定電圧回路
69
次の記述は、各種半導体素子について述べたものである。このうち誤っているものを選べ。
サーミスタは、温度が変化しても抵抗値が変化しない素子で、電子回路の温度補償用などに用いられる。
70
次の記述は、半導体素子について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
(1)サーミスタは、［ A ］の変化によって抵抗値が大きく変化する特性を利用している。
(2)バリスタは、［ B ］の変化によって［ C ］が大きく変化する特性を利用している。
A：温度 B：電圧 C：抵抗値
71
次の記述は、半導体素子について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
(1)逆バイアスを加えたPN接合面に加える光の強度により、流れる電流の値が変化することを利用するものは、［ A ］である。
(2)逆方向電圧を加えると、ある電圧で電流が急激に流れ、端子電圧がほぼ一定となることを利用するものは、［ B ］ダイオードであり、図記号は［ C ］で表される。
A：ホトダイオード B：ツェナー C：図2
72
次の記述は、各種ダイオードの動作特性について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句を選べ。
(1)トンネルダイオードは、不純物の濃度が他の一般のダイオードに比べて［ ア ］く、順方向電圧を加えると［ イ ］を示す領域がある。
(2)バラタクダイオードは、加えられた逆方向電圧を変化させると［ ウ ］が変化する特性を示す。
(3)発光ダイオードは、［ エ ］方向の電圧をかけると接合面が発光する。
(4)インパットダイオードは、［ オ ］方向電圧を加えてマイクロ波の発振に利用している。
高, 負性抵抗特性, 静電容量, 順, 逆
73
次の記述は、各種ダイオードについて述べたものである［ ］内に入れるべき字句を選べ。
(1)逆方向のバイアス電圧を加えたPN接合部に光を当てると、光の強さに［ ア ］した電流が生ずる特性を持つのは、［ イ ］である。
(2)電気信号を光信号に変換する特性を持つダイオードに、［ ウ ］がある。
(3)PN接合に［ エ ］の電圧を加えたときに、加える電圧により静電容量が変化するという特性を利用するのは、［ オ ］である。
比例, フォトダイオード, 発光ダイオード, 逆方向, バラクタダイオード
74
次の記述は、バイポーラトランジスタについて述べたものである。このうち誤っているものを選べ。
エミッタ接地増幅回路の直流電流増幅率 β の値は、一般的には 1 よりわずかに小さい。
75
次に挙げる半導体素子または電子管のうち、電極の名称がアノード、カソードおよびゲートであるものを選べ。
サイリスタ(シリコン制御整流素子)
76
次の記述は、接合形トランジスタの電極の名称を導通試験により調べる方法について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
トランジスタの電極を①、②および③とし、これらの間の導通を調べたところ、②から①には電流が流れ、③から①には電流が流れなかった。電極①をコレクタとした場合、電極②の名称は［ A ］であり、このトランジスタは［ B ］形である。
A：ベース B：NPN
77
図に示す電界効果トランジスタ(FET)の形名および図中の A に該当する電極の名称として、正しい組合せを選べ。
形名：Pチャネル接合形 電極名A：ソース
78
次の記述は、図に示す電界効果トランジスタ(FET)について述べたものである。このうち誤っているものを選べ。
図1は、Nチャネル接合形FETの図記号である。
79
次の記述は、電界効果トランジスタ(FET)について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
FETは、［ A ］トランジスタと呼ばれ、半導体中のキャリアの流れを、ゲート電極に［ B ］によって制御する。
A：ユニポーラ B：加える電圧
80
次の記述は、電界効果トランジスタ(FET)について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句を選べ。
バイポーラ形トランジスタの電極名をFETの電極名と対比すると、エミッタは［ ア ］に、コレクタは［ イ ］に、ベースは［ ウ ］に相当する。また、バイポーラ形トランジスタは［ エ ］トランジスタであるのに対し、FETは［ オ ］トランジスタである。
ソース, ドレイン, ゲート, 電流制御形, 電圧制御形
81
次の記述は、図に示すトランジスタ増幅回路について述べたものである。［ ］に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
図の回路は［ A ］形トランジスタを用いて、［ B ］を共通端子として接地した増幅回路の一例である。この回路は、出力側から入力側への［ C ］が高周波増幅に適している。
A：NPN B：ベース C：帰還
82
次の記述は、図に示す増幅回路について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句を選べ。
(1)この回路は、［ ア ］回路とも呼ばれる。
(2)入力電圧と出力電圧の位相は、［ イ ］である。
(3)電圧増幅度の大きさは、約［ ウ ］である。
(4)［ エ ］インピーダンスは、一般に他の接地方式の増幅回路に比べて高い。
(5)この回路は、［ オ ］変換回路としても用いられる。
エミッタホロワ, 同位相, 1, 入力, インピーダンス
83
次の記述は、図に示す増幅回路について述べたものである。このうち誤っているものを選べ。
入力電圧と出力電圧の位相は、逆位相である。
84
次の記述は、図に示すトランジスタ増幅回路について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
(1)電圧増幅度は、ほぼ［ A ］に等しい。
(2)一般に他の接地方式の増幅回路に比べて、入力インピーダンスは［ B ］、出力インピーダンスは［ C ］。
A：1 B：高く C：低い
85
次の記述は、図に示すトランジスタ( Tr )増幅回路について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。ただし、入力電圧を 𝑉𝑖［V］、出力電圧を 𝑉𝑜［V］、直流電源の内部抵抗を零とし、また、静電容量 𝐶₁ および 𝐶₂ の影響は無視するものとする。
(1)回路は［ A ］増幅回路である。
(2)電圧増幅度 𝑉𝑜 / 𝑉𝑖 の大きさは、ほぼ［ B ］である。
(3)𝑉𝑖 と 𝑉𝑜 の位相は、［ C ］である。
A：コレクタ接地 B：1 C：同相
86
図に示すトランジスタ( Tr ) 回路のコレクタ電流 𝐼c およびコレクタ ー エミッタ間電圧 𝑉cᴇ の値の正しい組合せを選べ。ただし、Tr のエミッタ接地直流電流増幅率 𝒉𝟋ᴇ を100とし、ベース電流 𝐼ᴃ を40[μA］とする。
𝐼c ：4［mA］ 𝑉cᴇ： 8［V］
87
次の記述は、図に示すトランジスタ( Tr )回路のバイアス回路について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。ただし、Trの直流電流増幅率 𝒉ғᴇ は充分大きいものとし、動作時のベース ー エミッタ間、電圧は約0.5［V］とする。
(1) Tr の 𝒉ғᴇ が充分大きく、抵抗 R₁ 、R₂ を流れる電流に比べ、ベース電流が十分小さいとき、ベース電位 𝑉в は R₁ とR₂ の比で定まり、約［ A ］となる。
(2)Tr のベース ー エミッタ間電圧が与えられているので、エミッタ電位𝑉ᴇ は、約2.5［V］となる。よって、エミッタ電流は約［ B ］となる。
(3)Trの 𝒉ғᴇ が十分大きいので、コレクタ電流はエミッタ電流とほぼ同じであり、コレクタの電位 𝑉c は、約［ C ］となる。
A：3.0［V］ B：2.5［mA］ C：7.0［V］
88
図に示す電界効果トランジスタ(FET)を用いた増幅回路において、ドレイン電流(直流) 𝐼ᴅ が1［mA］、自己バイアス電圧 𝑬ₛ が0.6［V］、相互コンダクタンス 𝑔ₘ が8［mS］であった。このときの電圧増幅度の大きさの値 𝐴v とバイアス抵抗 𝑅s の値の正しい組合せを選べ。ただし、負荷抵抗 𝑅𖾘 の値は4
［kΩ］、ドレイン抵抗 𝑟ᴅ は、𝑟ᴅ ＞ 𝑅𖾘 とし、コンデンサ 𝐶s のインピーダンスは十分小さな値とする。
𝐴v： 32 𝑅s：600［Ω］
89
次の記述は、図に示すFET増幅回路について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
(1 )回路は、［ A ］接地増幅回路であり、バイポーラトランジスタの［ B ］接地増幅回路に相当する。
(2)電圧増幅度は、1より［ C ］、入力電圧と出力電圧の位相は、逆相となる。
A：ソース B：エミッタ C：大きくすることができ
90
次の記述は、図に示す電界効果トランジスタ(FET)増幅回路について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
(1)この回路は、［ A ］接地増幅回路でソースホロワ回路ともいう。
(2)電圧増幅度は、ほぼ1であり、入力電圧と出力電圧は［ B ］位相である。
(3)他の接地方式の増幅回路に比べて、出力インピーダンスが［ C ］。
A：ドレイン B：同 C：低い
91
次の記述は、増幅回路に負帰還をかけたときの特徴について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
(1)増幅度が［ A ］なり、出力される雑音やひずみが［ B ］する。
(2)増幅度が3［dB］低下する周波数帯域幅は［ C ］なる。
A：小さく B：減少 C：広く
92
増幅器の出力側において、基本波の電圧の実行値が50［V］、第2高調波の電圧の実効値が0.4［V］、第3高調波の電圧の実効値が0.3［V］であった。このときのひずみ率の値として、正しいものを選べ。
1［％］
93
図に示すコルピッツ発振回路の原理図における発振周波数の値として、最も近いものを選べ。ただし、コンデンサ 𝐶₁ および 𝐶₂ の静電容量はそれぞれ0.004[μF］、コイル 𝐿 のインダクタンスは2[mH］とする。
80［kHz］
94
図に示す発振回路の原理図の名称として、正しいものを選べ。
コルピッツ発振回路
95
図に示す発振回路の原理図の名称として、正しいものを選べ。
ハートレー発振回路
96
図に示す回路のうち、水晶振動子の電気的等価回路として、正しいものを選べ。
5
97
次の記述は、水晶発振回路の原理について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
図に示すピアースBE水晶発振回路の原理図において、水晶発振子 𝑋 のリアクタンスが誘導性で、ベースとコレクタ間のリアクタンスが容量性であるから、コレクタとエミッタ間の同調回路(コイル 𝐿 および可変コンデンサ 𝐶v の並列回路)が［ A ］の場合に発振する。したがって、発振を持続させるには、𝐿 と𝐶v による同調周波数を発振周波数よりもわずかに［ B ］すればよい。
A：誘導性 B：高く
98
次の記述は、水晶発振回路の原理について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
図に示すピアースBE水晶発振回路の原理図において、水晶発振子 𝑋₁ のリアクタンスは誘導性であるから、ベースとコレクタ間のリアクタンス 𝑋₂ が［ A ］、コレクタとエミッタ間の同調回路(コイル 𝐿 および可変コンデンサ 𝐶v の並列回路)が［ B ］の場合に発振する。
A：容量性 B：誘導性
99
次の記述は、水晶発振回路の原理について述べたものである。［ ］内に入れるべき字句の正しい組合せを選べ。
図に示すピアースCB水晶発振回路の原理図において、水晶発振子 𝑋 のリアクタンスが誘導性で、ベースとエミッタ間のリアクタンスが容量性であるから、コレクタとエミッタ間の同調回路(コイル 𝐿 および可変コンデンサ 𝐶v の並列回路)が［ A ］の場合に発振する。したがって、発振を持続させるには、 𝐿 と 𝐶v による同調周波数を発振周波数よりもわずかに［ B ］すればよい。
A：容量性 B：低く
100
次の記述は、水晶発振器の発振周波数を安定にする方法について述べたものであるが、誤っているものを選べ。
水晶発振器と負荷との結合を密にする。