問題一覧
1
Entrambe di tipo N o di tipo P e al zona di emettitore e appena più drogata di quella di collettore.
2
2 PNP o NPN
3
1-collettore, 2-base, 3-emittore
4
diminuizione dell corrente attraverso il transitor
5
due giunzioni
6
mediante una piccola corrente di base è in grado di regolare le corrente di collettore
7
due tipi di BJT "NPN" o "PNP"
8
2
9
lavora in zona attiva
10
tre terminali: collettore-base ed emettitore
11
dall'emettitore verso la base
12
la base è una regione di tipo "N"
13
lacune
14
la base è positiva rispetto all'emettitore
15
leggermente drogato
16
Astabile, Monostabile, Bistabile
17
Nei circuiti digitali
18
guadagno di corrente e guadagno di tensione
19
una forma d'onda ripetuta, alternata senza alcun segnale di input
20
una zona isolante sottostante il gate
21
tensione
22
source,gate e drain
23
unipolare
24
classe B
25
diminuisce
26
3
27
per tutto il ciclo di input
28
Un misuratore di resistenza
29
positiva rispetto all emettitore.
30
Più drogato rispetto al canale di tipo N
31
Elettricamente collegato al substrato di tipo P
32
O sul fronte di discesa o sul fronte di salita del clock
33
attiva
34
E = B1 + CI .
35
sulla retta di carico
36
gate e source
37
superato li quale li FET lavora ni zona attiva e dipende anche dal valore di VGS
38
zona di svuotamento si allarga e la resistenza del canale aumenta
39
CE ( emettitore comune)
40
continuamente
41
dal drain al source
42
a condensatore
43
ad effetto di campo comandato in tensione
44
tensione
45
a collettore comune
46
a base comune
47
ha in uscita un segnale in fase con quello applicato in ingresso
48
a canale P oppure N
49
I portatori di carica che portano la corrente attraverso il dispositivo sono o lacune o elettroni
50
a canale N che P
51
da 0,2 V a 0,3 V.
52
emettitore comune
53
corrente
54
polarizzazione
55
un segnale in fase con quello applicato in ingresso
56
In tre zone: attiva, interdizione e saturazione
57
corrente
58
due giunzioni pn
59
Un dispositivo comandato in Corrente
60
saturazione, con una Vce molto bassa pari a circa 100mV
61
silicio
62
amplificatore di segnale
63
collettore
64
due diodi
65
4 (Interdizione, Saturazione, Ativa Diretta, Attiva Inversa)
66
sia il terminale di Emettitore che il verso convenzionale della corrente
67
da 0,6 V a 0,7 V.
68
pesantemente drogato
69
nel data sheet fornito dal costruttore
70
lacune nell'emittore
Tecniche investigative (lez 21-32 + lez17)
Tecniche investigative (lez 21-32 + lez17)
Matteo Tammaro · 68問 · 2日前Tecniche investigative (lez 21-32 + lez17)
Tecniche investigative (lez 21-32 + lez17)
68問 • 2日前domande modulo 5
domande modulo 5
sto gran cazzroom · 95問 · 10日前domande modulo 5
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95問 • 10日前7.3 7.6 7.4 7.7
7.3 7.6 7.4 7.7
ユーザ名非公開 · 48問 · 12日前7.3 7.6 7.4 7.7
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48問 • 12日前ABILITÁ INFORMATICHE
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Daniele · 162問 · 14日前ABILITÁ INFORMATICHE
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162問 • 14日前15
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Marta · 5問 · 1ヶ月前11
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ユーザ名非公開 · 138問 · 1ヶ月前ABILITÁ INFORMATICHE
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7問 • 1ヶ月前4
4
Marta · 5問 · 1ヶ月前4
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5問 • 1ヶ月前問題一覧
1
Entrambe di tipo N o di tipo P e al zona di emettitore e appena più drogata di quella di collettore.
2
2 PNP o NPN
3
1-collettore, 2-base, 3-emittore
4
diminuizione dell corrente attraverso il transitor
5
due giunzioni
6
mediante una piccola corrente di base è in grado di regolare le corrente di collettore
7
due tipi di BJT "NPN" o "PNP"
8
2
9
lavora in zona attiva
10
tre terminali: collettore-base ed emettitore
11
dall'emettitore verso la base
12
la base è una regione di tipo "N"
13
lacune
14
la base è positiva rispetto all'emettitore
15
leggermente drogato
16
Astabile, Monostabile, Bistabile
17
Nei circuiti digitali
18
guadagno di corrente e guadagno di tensione
19
una forma d'onda ripetuta, alternata senza alcun segnale di input
20
una zona isolante sottostante il gate
21
tensione
22
source,gate e drain
23
unipolare
24
classe B
25
diminuisce
26
3
27
per tutto il ciclo di input
28
Un misuratore di resistenza
29
positiva rispetto all emettitore.
30
Più drogato rispetto al canale di tipo N
31
Elettricamente collegato al substrato di tipo P
32
O sul fronte di discesa o sul fronte di salita del clock
33
attiva
34
E = B1 + CI .
35
sulla retta di carico
36
gate e source
37
superato li quale li FET lavora ni zona attiva e dipende anche dal valore di VGS
38
zona di svuotamento si allarga e la resistenza del canale aumenta
39
CE ( emettitore comune)
40
continuamente
41
dal drain al source
42
a condensatore
43
ad effetto di campo comandato in tensione
44
tensione
45
a collettore comune
46
a base comune
47
ha in uscita un segnale in fase con quello applicato in ingresso
48
a canale P oppure N
49
I portatori di carica che portano la corrente attraverso il dispositivo sono o lacune o elettroni
50
a canale N che P
51
da 0,2 V a 0,3 V.
52
emettitore comune
53
corrente
54
polarizzazione
55
un segnale in fase con quello applicato in ingresso
56
In tre zone: attiva, interdizione e saturazione
57
corrente
58
due giunzioni pn
59
Un dispositivo comandato in Corrente
60
saturazione, con una Vce molto bassa pari a circa 100mV
61
silicio
62
amplificatore di segnale
63
collettore
64
due diodi
65
4 (Interdizione, Saturazione, Ativa Diretta, Attiva Inversa)
66
sia il terminale di Emettitore che il verso convenzionale della corrente
67
da 0,6 V a 0,7 V.
68
pesantemente drogato
69
nel data sheet fornito dal costruttore
70
lacune nell'emittore