問題一覧
1
抵抗、コンデンサ、コイルに共通する素子の区分をなんと言うか。二つ選んで答えよ。(完全正当)
受動素子, 線形素子
2
直流や交流といった信号を用いる回路をなんと言うか。記述して答えよ。
アナログ回路
3
図のような波形を扱う回路をなんと言うか。記述して答えよ。
ディジタル回路
4
電気回路と電子回路の違いは何か。選択肢の中から最も適切なものを一つ選んで答えよ。
受動素子かつ線形素子である素子を用いて組む回路を電気回路といい、能動素子や非線形素子を用いて組む回路を電子回路という。
5
コンデンサの電荷をq、コンデンサの静電容量をC、電圧の瞬時値をvとした時、この数値の間に成立する等式を記号に注意して記述せよ。
q=Cv
6
コンデンサを用いた交流回路において、電流i(t)の定義として最も適切なものを一つ選んで答えよ。
「電流は、単位時間あたりにあるところを通過する電荷qの量である。」
7
コイルのインダクタンスをL、コイルに発生する磁束をφ(ファイ)、コイルに流れる電流をiとすると、この数値の間に成立する等式を記述せよ。
φ=Li
8
φ(磁束)の単位を次の選択肢の中から正しいものを一つ選んで答えよ。
[Wb]
9
ファラデーの法則を次のうちから選んで答えよ。
v(t)=dφ/dt
10
コンデンサの電圧を基準とした時、電流はどれだけ進むか遅れるか。 例:◯◯°遅れる、◯/◯rad進む のような形で答えよ。
90°進む
11
コイルの電圧を基準とした時、電流はどれだけ進むか遅れるか。 例:◯◯°遅れる、◯/◯rad進む のような形で答えよ。
90°遅れる
12
不明な電源部分を電圧源と抵抗を用いて仮定して良いと言う定理をなんと言うか。次の選択肢から正しいものを選べ。
テブナンの定理
13
不明な電源部分を電流源と抵抗を用いて仮定して良いと言う定理をなんと言うか。次の選択肢から正しいものを選べ。
ノートンの定理
14
※説明 理解したら◯を選択して次の問題へ。 テブナンの定理は、 ①端子間の開放電圧を求める ②短絡して短絡電流を求める の2ステップを経て変形します。 ノートンの定理は、 ①短絡して短絡電流を求める ②端子間の開放電圧を求める と、テブナンの定理と逆の手順を経て変形します。
◯
15
自由電子の持つエネルギー領域をなんと言うか。次のうちから最も適切なものを一つ選べ。
伝導体
16
電子が持つことができるエネルギー領域をなんと言うか。次のうちから最も適切なものを一つ選べ。
許容帯
17
伝導体のすぐ下にある許容帯をなんと言うか。次のうちから最も適切なものを一つ選べ。
価電子帯
18
価電子帯よりも下の電子に満たされている許容帯を何と言うか。次のうちから最も適切なものを一つ選べ。
充満帯
19
伝導体と価電子帯の間にある、電子が持つことのできないエネルギー領域をなんと言うか。次のうちから最も適切なものを一つ選べ。
禁制帯
20
絶縁体、伝導体の違いについて、次の空欄に当てはまる言葉を入れて文章を完成させなさい。(順不同) 「伝導体は、【空欄1】と【空欄2】との間が狭く、反対に絶縁体(不導体)は、【空欄1】と【空欄2】の間が広い。」
伝導帯, 価電子帯
21
ケイ素(シリコン)で作られ、I型半導体とも呼ばれる半導体を何性半導体と言うか。「◯性半導体」のような形で答えよ。
真性半導体
22
シリコンに五価の金属(リンやヒ素)を混ぜ、キャリア密度を増やした半導体をなんと言うか。次のうちから正しいものを一つ選べ。
n型半導体
23
n型半導体について、【 】に当てはまる語を答えよ。
ドナー
24
シリコンに三価の原子を混ぜ、キャリア密度を増やした半導体を何型半導体と言うか。「◯型半導体」のような形で答えよ。
P型半導体
25
ダイオードについて、図の空欄を埋める形で、選択肢から適切な語を選べ。(完全正当)
カソード, アノード
26
ダイオードについて、図を見て次の問に答えよ。 回路記号において、電流はどちらからどちらへ流れるか。
左から右
27
ダイオードは、ある半導体と、ある半導体の接合によってできているが、順番はどうなっているか。 アノード→◯◯半導体→◯◯半導体→カソード の空欄を埋める形で次の選択肢から適切な語を選べ。
p型, n型
28
※説明 理解したら◯を押して回答を終えてください。ダイオードの電流には、次の式が成り立ちます。 この式を変形していくと、写真の順番のようになります。 そして最後の式が、ダイオードの抵抗となります。ここで、電流が流れると、抵抗の値が小さくなりますよね。そして抵抗値が小さくなると、今度は電流が更に流れ、抵抗が小さくなり、また電流........と、繰り返し、結果多大電流により発熱、発火してしまうわけです。
◯