GaAsは半導体の材料ではない。

自由電子が移動して空になった部分を正孔という。

p型半導体には正孔だけが存在する。

多数キャリアAは正孔である。, 多数キャリアBは正極の方向に移動する。, 電圧Eを高くすると電流は増加する。

ベース電流によってコレクタ電流を制御できる。

MOS-FET

FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。, FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。

CMOS回路は消費電力が少ない。, LEDはpn接合の構造をもつ。, FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。

接合型FETのn形チャネルの多数キャリアは電子である。, CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。

周波数帯域幅は無限大である。, 入力端子に流れ込む電流はゼロである。, スルーレートは無限大である。

周波数帯域幅は無限大である。, 入力インピーダンスは無限大である。

出力は入力信号の差に比例する。, 同相で入る雑音は出力に表れない。, 電源電圧の変動は出力に表れない。

発光強度は流した電流に比例する。, 発光波長は使用する半導体材科により異なる。, 電流と電圧の関係は指数関数にしたがう。

CCD, 液晶

ホール素子, 熱電対

サーミスタ, CdS

LEDの順方向電圧は整流用ダイオードよりも高い。, フォトダイオードの出力電流はアノードから流出する方向に流れる。, フォトダイオードの出力電流は入射光が強くなると増加する。

酸化銀電池, マンガン電池

入力インピーダンスは無限大である。, 電圧増幅度は0dBである。, インピーダンス変換の働きをする。

R2R4/R1R3

二つの抵抗に流れる電流は等しい。, VsはViに等しい。, Rsを無限大にするとⅠViⅠ＝ⅠVoⅠになる。

微分回路

Vo＝-1/2t

直流成分はカットされる。, コンデンサC1と抵抗R2に流れる電流は等しい。

1

1:3

遮断周波数より十分に低い帯域で微分特性を有する。, コンデンサC1と抵抗R2に流れる電流は等しい。

時定数は10msである。, 遮断周波数より十分に高い帯域で積分特性を有する。

R1＋1/jωc

遮断周波数より十分に低い帯域ではVo = −Rf/RiViである。

インバータ, 蓄電池, トランス

微分回路に用いられる。, 時定数は10msである。, 出力波形の位相は入力波形より進む。

C

キャパシタの両端電圧Vcの波形はほぼ三角波となる。

単安定マルチバイブレータは記憶回路に利用される。

撮像

光通信

加速度測定

歪みゲージ, サーミスタ, CdS