問題一覧
1
Un Mosfet è caratterizzato da
Una zona isolante sottostante il Gate
2
in polarizzazione “inversa” un diodo a giunzione presenta un limite massimo di funzionamento legato:
alla tensione massima “inversa”
3
Nel simbolo del transistor BJT la freccetta indica
Sia il terminale di emettitore che il verso convenzionale della corrente
4
La resistività di un semiconduttore si misura
Ωcm
5
un amplificatore ha una tensione di ingresso di 5 V RMS è una tensione di uscita di 10 V RMS. Lo stesso amplificatore ha una corrente di ingresso di 10 mA RMS è un’uscita di 2A RMS. Esso rappresenta un:
amplificatore di potenza
6
Le celle foto-conduttive di un trasduttore foto elettrico
Sono foto dispositivi che variano la loro resistenza elettrica quando sottoposti alla luce
7
(Fig 34v) Il dispositivo di figura rappresenta:
Un sensore luminoso
8
La pressione relativa è
La differenza tra la pressione da misurare e la pressione atmosferica
9
un sincrono classificato con la sigla CX
È utilizzato per generare un segnale elettrico
10
Se un semiconduttore viene drogato con atomi di fosforo (donatore) esso diviene di
Tipo N
11
nel JFET a canale N la regione del terminale di Source è
Più drogato rispetto al canale di tipo N
12
la Magnetostrizione
È una proprietà dei materiali ferromagnetici che li induce a cambiare forma o dimensioni
13
Un encoder assoluto
Da informazioni che non vengono perdute in caso di mancanza di alimentazione
14
Un trasduttore primario
Rileva direttamente il segnale di ingresso che deve essere misurato
15
FIG.1_TPS.JPG
Estensimetro
16
Una termoresistenza RTD al NICHEL
Invecchia più rapidamente nel tempo e perde precisione a temperature elevate
17
la tensione e la corrente di esercizio tipo che per un LED ( diodo a emissione di luce ) sono ;
2V, 20mA
18
FIG.2_TPS.JPG
Sensore di umidità
19
la connessione di due o più diodi in serie viene utilizzata per
Aumentare la capacità di blocco della corrente in polarizzazione inversa
20
In un open loop system da cosa può dipendere la velocità di risposta e la posizione del carico
Dalla variazione nel guadagno dell’amplificatore e dal valore della tensione di comando
21
in un BJT di tipo PNP
La base è una regione di tipo N
22
nella prova di efficienza di un diodo a giunzione il tester analogico viene predisposto per misure di
resistenza
23
Far si che la base di un transistor PNP in conduzione diventi più positiva rispetto all’emettitore comporterà
Diminuzione della corrente attraverso il transistor
24
Se la polarizzazione inversa sul Gate di un JFET viene aumentata, allora la larghezza del canale conduttore
Diminuisce
25
il guadagno totale di un amplificatore realizzato con due stadi di amplificazione collegati in cascata è dato
Dal prodotto dei guadagni dei singoli stadi
26
L’ingresso di un JFET è tra
Gate e Source
27
un sensore capacitivo senza contatto ( gap sensor )
Può rilevare oggetti metalli e non metalli
28
Nel JFET a canale N il gate è
Elettricamente collegato al substrato di tipo P
29
Che tipo di segnale produce in uscita il sensore induttivo noto anche come sensore magnetic pickup fornito da una bobina alimentata
Segnale sinusoidale
30
La connessione dei diodi in serie è usata per :
incrementare la capacità di "reverse blocking"
31
Per il normale funzionamento di un transistor NPN la base deve essere
Positiva rispetto all'emettitore
32
il mosfet è caratterizzato dalla costituzione di una struttura di tipo
A condensatore
33
Affinché si verifichi l’effetto transistor,le giunzioni di un BJT devono essere polarizzate nel seguente modo
La giunzione base-collettore deve essere polarizzata inversamente e quella base-emettitore direttamente