フルエンスの単位はm⁻²である。

質量減弱係数は非荷電粒子のみに定義される量である。

断面積は非荷電粒子・荷電粒子の両方に定義される量である。

陽子線などの荷電粒子による電離においてW値が使用できる。

阻止能の単位はJm⁻¹である。

質量阻止能の単位はJm²kg⁻¹である。

電子など荷電粒子には阻止能が使用できる。

質量減弱係数の単位はm²kg⁻¹である。

ある物質の質量減弱係数μ/ρ、質量エネルギー転移係数μtr/ρ、質量エネルギー吸収係数μen/ρのとき、μ/ρ＞μtr/ρ＞μen/ρが成り立つ。

W値は気体中で1イオン対を生成するときに消費される平均エネルギーである。

照射線量の単位はCkg⁻¹である。

照射線量は空気のみを対象として定義されている。

照射線量はX線やγ線など光子に定義される。

照射線量には制動放射による電離は含まれていない。

光子とW値は関係がある。

陽子線および炭素線はW値が適応できる。

光子と質量エネルギー吸収係数は関係がある。

線量当量の単位はSvである。

中性子線に対して吸収線量が使用できる。

陽子線に対して吸収線量が使用できる。

荷電粒子による吸収線量を算出するための物理量はフルエンスと質量衝突阻止能である。

吸収線量率の単位はGys⁻¹である。

吸収線量の単位はGy（Jkg⁻¹）である。

カーマ（Kerma）の単位はGy（Jkg⁻¹）である。

カーマは荷電粒子の初期運動エネルギーの総和である。

中性子にカーマが使用できる。

シーマの単位はJkg⁻¹である

光子のカーマは光子エネルギーE、光子フルエンスφ、質量エネルギー転移係数μtr/ρの積E･φ･μtr/ρである。

光子の衝突カーマは光子エネルギーE、光子フルエンスφ、質量エネルギー吸収係数μen/ρの積E･φ･μen/ρである。

光子線による吸収線量は光子エネルギーE、光子フルエンスφ、質量エネルギー吸収係数μen/ρの積Eφμen/ρである。

媒質mでの吸収線量は単位質量当たりの電離電荷M、W/e、気体gに対する媒質の質量阻止能(Scol/ρ)m,gで表すと、M･(Scol/ρ)m,g･W/eとなる。

放射能の単位はs⁻¹かBqである。

空気カーマ率定数は光子のエネルギーに依存し、その単位はGym²Bq⁻¹s⁻¹である。

ブラッグ・グレイの空洞理論は電子線の線量測定に適用できる。

ブラッグ・グレイの空洞理論は荷電粒子に適用できる。

ブラッグ・グレイの空洞理論では、空洞の大きさは通過する荷電粒子の飛程に比べ十分小さく空洞内での光子の相互作用は無視する。

ブラッグ・グレイの空洞理論では空洞の大きさは二次電子の最大飛程より小さい。

ブラッグ・グレイの空洞理論では、媒質と空洞との吸収線量の比はそれぞれの質量阻止能の比に等しい。

ブラッグ・グレイの空洞理論では空洞内の電子フルエンスは一様である。

媒質中で吸収線量を求めるには、電離電荷にW/eを乗じ、気体に対する媒質の質量阻止能比を乗じる。

水吸収線量計測において、電離箱中の気体の吸収線量に乗じるパラメータは質量放射阻止能比である。

電子平衡状態では吸収線量と衝突カーマは等しい。

ビルドアップ領域とは荷電粒子平衡が成立するまでの深さである。

電子平衡状態では物質の吸収線量は質量エネルギー吸収係数に比例する。

確率分布が平均値μ、標準偏差σのガウス分布に従う放射線計測において、測定値がμ±σに入る確率は約68%である。

ある放射性試料をN回測定したときの平均計数値がmカウントであったとき、平均計数値の標準偏差（標準誤差）は√(m/N)である

放射性試料のバックグラウンドは計数率に換算してから減算する

計数値100カウントが得られたとき、その標準偏差は10カウントである。

放射性試料の測定時間tでの全計数値がNのとき、計数率と誤差はN/t±√N/tで表せる。

ある放射性試料の10分間測定の結果は35,000カウントであった。バックグラウンドのみ20分間測定の結果は20,000カウントであった。この試料の正味の計数率の標準偏差は（ ）cpmである。

統計誤差4%の測定値Aと統計誤差3%の測定値Bから得られるA-Bの統計誤差は5%である

【放射線技術学シリーズ 放射線計測学 第7章問題17】 ある放射性試料の計数は5分間測定で800カウント、バックグラウンドが10分間測定で400カウントであった。正味計数率とその標準偏差は（ 1 ）±（ 2 ）[cpm]である。 （番号順に数字を入力）

電離箱とGM計数管は気体の電離を利用した検出器である。

電離箱線量計で連続放射線は同じ線量率のパルス放射線に比べてイオン再結合損失が少ない。

自由空気電離箱は照射線量の測定に使用される。

比例計数管によるα線とβ線の混合線源の放射能測定で、印加電圧を上げるとまずα線のプラトーが現れる。

比例計数管にはPRガスが用いられる。

ガス増幅が起こり始める領域は比例計数管領域である。

GM計数管では連続放電を停止させるためにクエンチングガスを用いる。

GM計数管では電子なだれが起きる。

GM計数管では計数率が大きいとき分解時間に係る補正が必要になる

GM計数管の出力信号は一次電離量に比例しない。

半導体検出器では、放射線による電子正孔対の生成による電離電荷を測定している。

半導体検出器は固体の電離電荷を測定する。

高純度Ge検出器は常時冷却する必要はない。

高純度Ge半導体検出器はNaI(Tl)シンチレーション検出器に比べて検出感度が低い。

半導体検出器はエネルギー依存性と関係がある。

α線放出核種の放射能測定に適した検出器は表面障壁型半導体検出器である。

²⁴¹Amのα線は線スペクトルである。

半導体検出器は放射線損傷の影響を受けやすい。

シンチレーション検出器は発光を利用する。

NaI(Tl)には潮解性がある。

光電子増倍管のダイノードは10〜15段で構成される。

熱ルミネセンス線量計は加熱による発光を利用する。

Mg₂SiO₄:Tbを用いるのは熱ルミネセンス線量計である。

光刺激ルミネセンス現象を示す物質は炭素添加α酸化アルミニウム（α-Al₂O₃：C）である。

OSLDは発光現象を利用した検出器である

蛍光ガラス線量計は積算型の線量計である。

蛍光ガラス線量計では放射線照射により蛍光中心が生成される。

蛍光ガラスは1回の照射による変化を繰り返し読み取り可能な検出器である。

蛍光ガラス線量計は紫外線照射による発光を利用する。

蛍光ガラス線量計はTLDと比較してフェーディングの影響が小さい

イメージングプレートは時間と共に潜像が減弱するフェーディングがある。

フリッケ線量計は酸化作用を利用する

ガフクロミックフィルムは着色と関係がある。

ガフクロミックフィルムは1回の照射による変化を繰り返し読み取り可能な検出器である。

ラジオクロミックフィルム（ガフクロミックフィルム）は現像の必要がない。

ラジオクロミックフィルムは読み取り方向の依存性がある。

ラジオクロミックフィルムから線量は直接読み取れない

霧箱は荷電粒子の飛程検出に使われる

原子核乾板は重荷電粒子などの荷電粒子の飛程を直接観測できる。

熱量計は絶対線量を測る測定器として使用できる。

BF₃比例計数管は¹⁰B(n, α)⁷Li反応を利用する。

熱中性子の測定において(n, α)反応を利用するのはBF₃計数管である

図の空洞電離箱に接続された電気回路により測定できるのは照射線量である。

GM計数管には不感時間がある。

サーベイメータによる表面汚染測定において正確な測定を必要とする場合は、時定数の3〜4倍の待ち時間をおいて測定を行う。

サーベイメータを用いた放射線測定において、真の読み値の85%以上の値を得るには時定数の2倍の時間が必要である。

Si半導体検出器の空洞電離箱に対する感度比は約20,000である。

ファーマ形電離箱線量計を用いた診断用X線の線量測定では温度気圧補正が必要である。