問題一覧
1
順バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が増加する。
○
2
バイポーラトランジスタはどの半導体とどの半導体との組み合わせか(○○半導体、○○半導体と答えるように)
p型半導体、n型半導体
3
バイポーラトランジスタはpnp型、npn型がある。
○
4
接合型FETの自由電子が通過できなくなる電圧のことをツェナー電圧という。
×
5
ダイオードはp型とn型の半導体が接合した構造である。
○
6
フォトダイオードは入射光の強度によって抵抗値が変動する。
×
7
導体とは自由電子が欠乏した状態の物質である。
×
8
p型半導体の価数は？
3
9
金属型FETは上から金属→半導体→酸化物の順になっている。
×
10
バイポーラトランジスタの三つの端子はエミッタ(E)、ゲート(G)、コレクタ(C)である。
×
11
トランジスタは受動素子である。
×
12
アノードにカソードより高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。
○
13
n型半導体の価電子の数は？
5
14
逆方向抵抗は順方向抵抗より小さい。
×
15
LEDの発光波長は加えた電流の大きさによってコントロールできる。
×
16
ダイオードには整流作用がある。
○
17
絶縁体に高電圧を印加しても電流を流すことができない。
×
18
n型半導体の不純物の種類は？
ヒ素, リン, アンチモン
19
FETではゲート電流でドレイン電圧を制御する。
×
20
FETの入力インピーダンスはバイポーラより低い。
×
21
逆方向抵抗は順方向より小さい。
×
22
ダイオードには増幅作用がある。
×
23
LEDの発光強度は加えた電圧に比例する。
×
24
p型半導体のキャリア
正孔
25
p型半導体の不純物の種類は？
インジウム, ガリウム, カルシウム, ホウ素
26
バイポーラトランジスタは電流制御素子である。
○
27
n型半導体の電気伝達を担うキャリア
自由電子
28
半導体とはある条件下で導体の性質を持つ物質である。
○
29
サイリスタは自己保持状態により、整流、スイッチング作用を持つ。
○
30
理想的なダイオードでは順方向抵抗は無限大である。
×
31
逆バイアス電圧によって空乏層容量を変えることができる。
○
32
定電圧(ツェナー)ダイオードは電圧いくつで電流が上昇していく？
0.6
33
接合型FETは電子が空乏層を避けて移動することで電流が流れる。
○
34
逆バイアス電圧によって空乏層容量を変えることができる。
○
35
フォトダイオードの出力電流は入射光と正の相関がある。
○
36
カソードにアノードより高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。
×
37
順バイアス時には印加電圧が増加しても電流は増加しない。
×