SiゲートのMOS ICの一般的な製造工程順序として、適切なものはどれか。 イ.ゲート → 素子分離 → ソース・ドレイン ロ.素子分離→ゲート → ソース・ドレイン ハ.素子分離→ ソース・ドレイン→ゲート ニ.ゲート → ソース・ドレイン→ 素子分離

NMOS LSIと比較した場合、CMOS LSIの特徴として、誤っているものはどれか。 イ　消費電力が大きい。 ロ　雑音に比較的負い。 ハ　低電圧動作が容易である。 二　製造プロセスが複雑で長い。

生産管理における5Sとして、正しいものはどれか。 イ. 整理、整頓、清掃、清潔、しつけ ロ. 正確、整頓、清掃、清潔、しつけ ハ. 整理、再検査、清掃、清潔、しつけ 二. 整理、整頓、積極性、清潔、しつけ お答えください！

品質管理において、2変数を横軸と縦軸にとり、測定値を打点して主に2つの変数間の関連を調べるのに使用する図にどれか。 イ　散布図 ロ　管理図 ハ　ヒストグラム 二　特性要因図

耐湿性を調べる試験はどれか イ　バーンインテスト ロ　せん断強度試験 ハ　温度サイクル試験 二　PTC（プレッシャークッカーテスト）

文中の(　)内に当てはまる語句として、適切なものはどれか。 シリコン (100)面のウェーハに垂直方向からイオン注入を行うと(　)が生じるため、傾斜させて注入する必要がある。 イ　チャネリング現象 ロ　ローディング効果 ハ　コロージョン 二　エレクトロマイグレーション

シリコン酸化膜をエッチングする際に使用する薬液として、適切なものはどれか。 イ　フッ化水素酸と硝酸の混合液 ロ　水酸化ナトリウム水溶液 ハ　フッ化水素酸とフッ化アンモニウムの混合液 ニ　リン酸と硝酸の混合液

文の(　)内に当てはまる語句として、適切なものはどれか。 スパッタとは、金属ターゲットを放電ガスの(　)で物理的にたたき出して基板上に堆積させるものである。 イ　電子 ロ　分子 ハ　イオン 二　陽子

文中の(A)(B)内に当てはまる語句の組合せとして、流切なものはどれか。 一般に、常圧CVD装置と減圧CVD装置を比較した場合、処理温度は、(A)の方が高い。また、プラズマCVD装置と減圧CVD装置を比較した場合、処理温度の低温化が計れるのは、(B)である。 イ　(A)常圧CVD装置(B)プラズマCVD装置 ロ　(A)常圧CVD装置(B)減圧CVD装置 ハ　(A)減圧CVD装置(B)プラズマCVD装置 二　(A)減圧CVD装置(B)減圧CVD装置

文中の(A)(B)内に当てはまる語句の組合せとして、遠切なものはどれか。 一般に、スパッタによるTiN 成膜では、(A)が用いられ、Arガスと(B)の混合、または、(B)のみが使用される。 イ　(A)反応性スパッタ法(B)N2Oガス ロ　(A)反応性スパッタ法(B)N2ガス ハ　(A)高温スパッタ法(B)N2Oガス 二　(A)高温スパッタ法(B)N2ガス

LOCOSプロセスのマスク材料として用いられているものはどれか。 ノ　タングステン膜 ロ　リンガラス膜 ハ　シリコン酸化膜 ニ　シリコン窒化膜

文中の()内に当てはまる語句として、正しいものはどれか。 イオン注入装置のドーズ量制御は、ファラデーカップで検出した()値にて行う。 イ　電圧 ロ　電流 ハ　抵抗 二　周波数

文中の(A)(B)内に当てはまる語句の組合せとして、適切なものはどれか。 イオン注入装置によるイオン注人量<ドーズ>は、(A)が広く使用され、 また、ウェル形成には、シリコン基板の深くまで注入できる(B)が使用される。 イ　(A)1×10の5条~1×10の12条cm−2(B)大電流イオン注入装置 ロ　(A)1×10の5条~1×10の12条cm−2(B)高電圧(高エネルギー)イオン注入装置 ハ　(A)1×10の10条~1×10の16条cm−2(B)大電流イオン注入装置 二　(A)1×10の10条~1×10の16条cm−2(B)高電圧(高エネルギー)イオン注入装置

文中の(A)(B)内に当てはまる語句の組合せとして、適切なものはどれか。 常圧CVD装置の主な管理項日には(A)とガス流量があり、ガス流量の制御は (B)で行っている。 イ　(A)温度(B)マスフローコントローラ ロ　(A)温度(B)レギュレータ ハ　(A)真空度(B)マスフローコントローラ 二　(A)真空度(B)レギュレータ

文中の(A)(B)内に当てはまる語句の組合せとして、適切なものはどれか。 拡散炉の処理温度を実際に測定する場合は(A)を用いて行う。この原理としては、温度により(B)が変化することを用いている。 イ(A)サーモラベル(B)体積膨張 ロ(A)サーモラベル(B)熱起電力 ハ(A)熱電対(B)体積膨張 二(A)熱電対(B)熱起電力

ドライエッチングにおけるエッチングレートを算出するための測定器として、適切でないものはどれか。 イ　光学式膜厚測定器 ロ　SEM ハ　接触式段差測定器 二　SIMS

次に示す製造装置のうち、一般に半導体素子にダメージを与えないものはどれか。 イ　レジストアッシング装置 口　減圧CVD装置 ハ　プラズマCVD装置 二　メガソニック洗浄装置

文中の(A)(B)内に当てはまる語句の組合せとして、適切なものはどれか。 クリーンルーム内で発生する静電気は、クリーンルーム内の湿度が(A)ほど発生しやすい。また、ウェーハへの帯電を防止するために、一般に(B)が使用されている。 イ　(A)高い(B)イオナイザ ロ　(A)高い(B)オゾナイザ ハ　(A)低い(B)イオナイザ 二　(A)低い(B)オゾナイザ

文中の(A)(B)内に当てはまる語句の組合せとして、適切なものはどれか。 拡散炉の汚染評価として、アルカリ金属汚染には(A)測定が、重金属汚染や結晶欠陥には(B)測定が有効である。 イ(A)I‐V(B)エリプソメータ ロ(A)I‐V(B)ライフタイム ハ(A)C‐V(B)エリプソメータ 二(A))C‐V(B)ライフタイム

文中の()内に当てはまる語句として、流切なものはどれか。 ウェーハ製造工程における金属汚染物質の一つとして、( )があるが、これは、 作業をする人の皮膚、汗に含まれており、防塵衣を含めた管理が必要である。 イ　AI ロ　Au ハ　Cu 二　Na

真空装置のリークを検出するために用いられるヘリウムガスに関する記述として、誤っているものはどれか。 イ　不活性ガスであるため、他のガスとの反応がなく、また、装置汚染もない。 ロ　人体に無害で、引火性もなく、安全なガスである。 ハ　質量数が小さく、微小リークの検知に適している。 二　大気中に多く存在しており、安価に得られる。

電離真空計に関する記述として、誤っているものはどれか。 イ　気体分子を電離することにより生ずるイオン電流を測定して、圧力を求める真空計である。 ロ　フィラメント通電直後は、測定管からのガスの放出により、実際の圧力より高く表示されることがある。 ハ　圧力の指示値が測定する気体の種類によって変わらないので、中真空から高真空領域で広く使われている。 二　圧力が高いときはフィラメントを焼損することがあるので、一定圧力以下になってからフィラメントのスイッチを入れる必要がある。

高圧ガス保安法関係法令に定める 「特定高圧ガス」でないものはどれか。 イ　モノシラン ロ　セレン化水素 ハ　モノゲルマン 二　ジクロロシラン

文中の(　)内に当てはまる語句として、適切なものはどれか。 薬品の(　)濃度が純水より高い場合、その薬品は酸性である。 イ　塩素イオン ロ　ナトリウムイオン ハ　水素イオン 二　水酸化物イオン

文戸の(A)(B)内に当てはまる語々の組合せとして、道切なものはどれか。 純水の製造工程で、真空脱気塔では(A)して、カートリッジポリッシャー(CP) は(B)する。 イ　(A)微粒子を除去(B)イオンを交換 ロ　(A)微粒子を除去(B)バクテリアを殺菌 ハ　(A)溶存酸素を除去(B)イオンを交換 二　(A)溶存酸素を除去(B)バクテリアを殺菌

ORを表す論理記号はどれか

Siの結晶中にホウ素(B)を加えると、自由電子ができてN形の半導体になる。

バイポーラトランジスタは電流駆動型であり、MOSトランジスタは電圧駆動型である。

Siの結晶構造は、体心立方格子構造である。

GaAsの特徴の一つに、Siに比べ、電子の移動度が大きいことが挙げられる。

一般に、MOSトランジスタは、バイポーラトランジスタよりも消費電力が大きい。

PN接合ダイオードを整流素子として使用する場合、N形半導体からP形半導体の方向に電流が流れる。

バーンインテストとは、高温で通電を行い、初期故障モードを示す不具合品を除去するスクリーニングテストである。

300Ωの抵抗を3本並列につなぐと、合成抵抗は900Ωになる。

三相誘導電動機の回転速度は、滑りが小さいとき、電源周波数にほぼ比例する。

気密封ルパッケージの組立て工程は、温湿度管理をしていれば、クリーン度は要求されない。

スタックドMCP(マルチチップパッケージ)とは、一つのパッケージ内の同一平面上に複数個の同じ種類のチップを配置したパッケージである。

正規分布のばらつきを表すのに標準偏差σ(シグマ)を用いるが、この値が大きいほど、ばらつきは小さい。

日本産業規格(JIS)によれば、下記の製図に用いられる寸法補助記号とその意味との組合せはいずれも正しい。

有機溶剤中毒予防規則では、第一種、第二種、第三種の有機溶剤等を各々青、黄、黒で色別に表示するよう規定されている。

フェールセーフ機能とは、人間が機械の操作を誤っても、それが災害につながる前に警報が働く機能を意味する。

熱酸化膜は、ゲート酸化膜、フィールド酸化膜及びパッシベーション膜に用いられる。

イオン注入装置において、加速電圧を高くすると不純物イオンを深く注入することができる。

表面保護に用いられるシリコン窒化膜のエッチングには、O2によるドライエッチングが適している。

一般に、縮小投影露光装置(ステッパ)では、露光波長が長いほど解像度が向上する。

四探針測定装置は、シート抵抗を測定する装置である。

エリプソメータは、誘電率を測定する装置である。

Alのエレクトロマイグレーションを防止するためには、Al中にSiを添加するとよい。

クライオポンプの排気能力が低下した場合、クライオポンプ内部に吸着したガスを放出して空にすることで再生できる。

アンモニア(NH₃) ボンベの残量確認は、ポンベガスレギュレータの一次圧で行う。

純水の製造過程で、銅や鉄などの重金属イオンは、主にイオン交換装置や逆浸透膜 (RO)装置で除去され、微粒子は、主に限外ろ過器で除去される。

論理回路に関する記述として、正しいものはどれか。 イ　AND回路は、すべての入力が1のときのみ、0を出力する。 ロ　OR回路は、入力のうち1つでも0があれば、1を出力する。 ハ　NAND回路は、入力のうち1つでも1があれば、0を出力する。 二　 NOR回路は、すべての入力が0のときのみ、1を出力する。

日本産業規格(JIS Z8141)の生産管理用語によれば、生産設備の稼働率管理に用いる「MTBF」の意味として、選切なものはどれか。 イ　平均故障間隔 ロ　平均修復時間 ハ　平均故障回数 二　平均修復回数

下図は、バスタブ・カーブ(故障率の時間的推移)である。図中の(A)(B)(C)の期間として、 適切な組合せはどれか。 イ　(A)初期故障(B)量産故障(C)成熟故障 ロ　(A)偶発故障(B)初期故障(C)摩耗故障 ハ　(A)初期故障(B)偶発故障(C)摩耗故障 二　(A)初期故障(B)摩耗故障(C)偶発故障

文中の(　)内に当てはまる語句として、適切なものはどれか。 シリコン(100)面のウェーハに垂直方向からイオン注入を行うと(　)が生じるため、傾斜させて注入する必要がある。 イ　チャネリング現象 ロ　ローディング効果 ハ　コロージョン ニ　エレクトロマイグレーション

文中の(　)内に当てはまる語句として、正しいものはどれか。 CMP工程では、ウェーハ表面の凸部は、(　)と研磨パッドによる化学的・機械的作用で研磨・除去される。 イ　反応ガス ロ　プラズマ ハ　スラリー ニ　エッチング液

文中の()内に当てはまる語句として、適切なものはどれか。 半導体のSi基板の作成方法としてFZ法と(　)法がある。 イ　PVD ロ　CVD ハ　CZ 二　DZ

イオン注入装置のオーバーホールの作業終了後における設備チェック項目で、分析内容(A)と分析法(B)の組合せとして、誤っているものはどれか。 イ　(A)注入の深さ(B)SIMS ロ　(A)コンタミネーション(B)全反射蛍光X線 ハ　(A)注入量(B)四探針測定 二　(A)パーティクル数(B)XMA

文中の(A)(B)(C)内に当てはまる語句の組合せとして、適切なものはどれか。 EDX (Energy Dispersive X-ray spectroscopy)は、主に無機物の成分分析に活用されており、試料に(A)を照射すると、元素固有のエネルギーを持つ(B)を放出するので、これを測定する事で元素分析を行うことができる。 EDXは、一般的に(C)に付属している。 イ　(A)特性X線(B)電子線(C)SIMS ロ　(A)特性X線(B)電子線(C)SEM ハ　(A)電子線(B)特性Ｘ線(C)SIMS 二　(A)電子線(B)特性Ｘ線(C)SEM

半導体基板に結晶欠陥をもたらす原因として、関連がないものはどれか。 イ　重金属汚染 ロ　ナトリウム汚染 ハ　不純物拡散時の急熱急冷 ニ　イオン注入量の過大

文中の(A)(B)内に当てはまる語句の組合せとして、適切なものはどれか。 クリーンルームには、全領域をダウンフローする全面方式と部分的にダウンフローするベイ方式がある。特にベイ方式は、作業エリアとユーティリティエリアで、圧力を変えていて、作業エリアは、ユーティリティエリアより圧力を(A)、清浄度を (B) イ　(A)上げて(B)下げている ロ　(A)上げて(B)上げている ハ　(A)下げて(B)上げている 二　(A)下げて(B)下げている

ピラニー真空計(ピラニーゲージ)に関する記述として、正しいものはどれか。 イ　圧力の変化に伴い、気体の熱伝導が変化することを利用した真空計である。 ロ　熱電子による残留ガスの電離作用を利用した真空計である。 ハ　圧力の変化に伴い、放電の色が変化することを利用した真空計である。 二　圧力差による弾性変形を電気的、機械的に読む真空計である。

文中の(　)内に当てはまる語句として、適切なものはどれか。 電離真空計は、気体分子の(　)を測定することによって、圧力を測定する真空計である。 イ　イオン電圧 ロ　イオン電流 ハ　熱伝導 二　比抵抗

文中の(　)内に当てはまる語句として、正しいものはどれか。 リン酸は、ウェーハプロセスにおいて、ウェーハの(　)に用いる。 イ　窒化膜エッチング ロ　酸化膜エッチング ハ　シリコン膜エッチング 二　洗浄(RCA洗浄)

半導体中のキャリアとは、電荷を運ぶ担い手を意味し、負の荷を持った電子と正の電荷を持った正孔とがある。

真性半導体に不純物(ドーパント)を添加すると抵抗率は大きくなる。

NチャネルMOSFETのソースとドレインは、P形である。

MOS構造の“O”とは、Organic(有機)を意味する。

メモリの中で、電源を切ると記憶していた情報が全て失われてしまうものは「揮発性メモリ」と呼ばれる。

コイルに流れている電流を変化させると、その変化を妨げる方向に起電力が誘起する。

導線の電気抵抗は、導線が長くなると小さくなり、断面積が大きくなると大きくなる。

初期故障モードを示す不具合品のスクリーニングによって、製品の初期故障率を低減することができる。

正規分布のばらつきを表すのに標準偏差σ(シグマ)を用いるが、このσ(シグマ)の値が小さいほど、ばらつきは小さい。

日本産業規格(JIS)によれば、抵抗器、コンデンサ、コイルの図記号として下記はすべて正しい。

大気汚染防止法及び水質汚濁防止法は、いずれも生活環境の保全に関連する法律である。

イオン注入装置において、不純物イオンを深く注入する場合は、加速電圧を低くする。

Siの酸化速度は、酸化膜が厚くなるほど遅くなる。

BF3は、Bのイオン注入のソース材料として用いられる。

シート紙(層抵抗)の測定には、ニリプソメータが用いられる。

トランジスタに交流電圧を加えたときの電圧特性を、静特性曲線という。

全有機体炭素(TOC)は、水中に存在する有機物の総量を有機物中に含まれる炭素量で示したものである。

ORを示す真理値表はどれか

故障率を表すバスタブ曲線に関する記述として、誤っているものはどれか。 イ　バスタブ曲線では、故障率が時間の経過に伴って減少、一定、増加の順になっている。 ロ　バスタブ曲線は、初期故障期問、偶発故障期間、摩耗故障期間の3つの期間に分けられる。 ハ　バスタブ曲線から、生産量と生産コストを読み取ることができる。 二　バスタブ曲線の名称は、その形状が西洋の浴槽の断面に似ていることに由来する。

1枚のウェーハに200個のチップを製造する。総合歩留80%の製品を15000 個生産するのに必要なウェーハ枚数は何枚か。 イ　75枚 ロ　84枚 ハ　94枚 二　105枚

次のうち、QC7つ道具として、正しいものはどれか。 イ　チェックシート、グラフ、パレート図、特性要因図、散布図、ヒストグラム、 管理図 ロ　チェックシート、グラン、系統図、特性要因図、散布図、ヒストグラム、管理図 ハ　チェックシート、グラフ、パレート図、アローダイヤグラム、散布図、ヒストグラム、管理図 ニ　チェックシート、グラフ、パレート図、特性要因図、散布図、連関図、管理図

次の信頼性試験のうち、機械的試験に当てはまらないものはどれか。 イ　振動試験 口　衝撃試験 ハ　端子の引張り強さ試験 二　PCT(ブレッシャークッカー試験)

文中の(A)(B)内に当てはまる語句の組合せとして、適切なものはどれか。 一般に、酸化で、より薄い酸化膜を制御性よく形成するためには、酸化温度を(A)か、不活性ガスで希釈された酸素の分圧を(B)かのいずれか、又は両方の方法をとる。 イ　(A)上げる(B)上げる ロ　(A)上げる(B)下げる ハ　(A)下げる(B)上げる 二　(A)下げる(B)下げる

AIをドライエッチングする場合、使用するガスとして、適切なものはどれか。 イ　フッ素系ガス ロ　塩素系ガス ハ　水素系ガス 二　酸素系ガス

イオン注入工程に関する記述として、誤っているものはどれか。 イ　チャネリング現象とは、注入されたイオンが結晶格子内の隙間を進み、Si基板深く注入されることである。 ロ　エネルギーコンタミネーション現象とは、イオンと残留ガスとの衝突により、 目的としないエネルギーのイオンが発生・混入することである。 ハ　イオン注入では、チャージアップによる酸化膜の静電破壊が発生することがある。 ニ　シャドーイング現象とは、イオンビーム同士が干渉して、所望の濃度を得られないことである。

酸化膜をドライエッチングする場合、使用するガスとして、適切なものはどれか。 イ　フッ素系ガス ロ　塩素系ガス ハ　水素系ガス 二　酸素系ガス

Siウェーハのノッチ又はオリエンテーションフラットの目的として、正しいものはどれか。 イ　カケ、チッピング発生の防止 ロ　熱変形の抑制 ハ　結晶不良個所の削除 二　結晶方位の表示

文中の(A)(B)内に当てはまる語句の組合せとして、適切なものはどれか。 ウェーハの分析、解析用装置において、形状評価としての代表的なものに(A) があり、不純物評価としての代表的なものに(B)がある。 イ　(A)光電子増倍管(B)イオンマイクロアナライザ 口　(A)光電子増倍管(B)X線トポグラフ ハ　(A)走査型電子顕微鏡(B)イオンマイクロアナライザ 二　(A)走査型電子顕微鏡(B)X線トポグラフ

ステッパの光学系において光が通過する順番で、(A)(B)内に当てはまる語句の組合せとして、正しいものはどれか。 水銀ランプ→(A)レンズ→コンデンサンンズ→レチクル→(B)レンズ→ウェーハ イ　(A)フライアイ(B)縮小投影 ロ　(A)フライアイ(B)反射 ハ　(A)縮小投影(B)フライアイ 二　(A)縮小投影(B)反射

真空処理室内の圧力を変更するために調整する項目として、適切でないものはどれか。 イ　 排気系ポンプの冷却水量 ロ　処理ガスの流量 ハ　排気系ポンプの排気能力 二　排気系バルブの開閉度

スパッタで形成した約800mmのAl膜厚の管理における測定方法として、適切でないものはどれか。 イ　四探針測定器 口　段差測定器 ハ　蛍光X線 二　エリプソメータ

文中の( )内に当てはまる語句の組合せとして、適切なものはどれか。 シート抵抗を四探針法で測定する場合、外側二探針間に(A)、内側二探針間の(B)を測定する。 イ　(A)一定の電流を流し(B)電圧 ロ　(A)一定の電圧を印加し(B)電流 ハ　(A)一定の電流を流し(B)電流 二　(A)一定の電圧を印加し(B)電圧

フォトマスク起因のパターン欠陥に関する記述として、誤っているものはどれか。 イ　フォトマスクに欠陥があると、それらはレジストに転写されパターン欠陥となり、歩留りを低下させることがある。 ロ　ペリクルとは、フォトマスク上のパーティクルによるパターン欠陥を防ぐための薄い透過性フィルムのことである。 ハ　ペリクル上のパーティクルは、焦点が合わないためレジストに転写されにくい。 二　フォトマスクにキズ等の欠陥があった場合、パターニング後、ショット間でランダムなパターン欠陥が発生してしまう。

防塵及びパーティクル対策として、誤っているものはどれか。 イ　作業者からの発塵を減らすために、作業自体をなるべく自動化したほうがよい。 ロ　クリーンルーム内の気流を乱さないように、装置や設備をレイアウトしたほうがよい。 ハ　製造装置のウェーハ搬送機構は、一般にメカニカル式よりベルト式のほうが、 ダスト付着が少ない。 二　作業者の防塵服も、摩耗による発塵があるため、定期的に交換したほうがよい。

ウェーハに付着した金属汚染を除去するために用いる洗浄方法で、次のうち最も適切なちのはどれ イ　HPM(HCI、H₂O₂、H₂O)洗浄 ロ　APM(NH₄OH、H₂O₂、H₂O)洗浄 ハ　H₂O₂洗浄 二　H₂O洗浄