問題一覧
1
mvr=nh/2π
2
シュレディンガー方程式
3
軌道の形状
4
軌道の方向
5
縮退(しゅくたい)
6
n,l,m,s
7
電子雲
8
➀2つの電子 ➁互いに反対側を向いた状態
9
・イオン結合 ・共有結合 ・金属結合 ・ファンデルワールス結合 ・水素結合
10
単結晶
11
多結晶
12
非晶質(アモルファス)
13
面心立方, 体心立方
14
ジンクブレンド構造, 平面立方晶
15
面心立方晶, 4, C,Si,Ge,SiGe, 共有結合
16
1.面 2.方向, [100]
17
伝導帯(コンタクションバンド)
18
バンドギャップ(禁制帯)
19
価電子帯(バレンスバンド)
20
緩和
21
残留抵抗
22
電線, 集積回路配線
23
接触抵抗=集中抵抗+境界抵抗
24
モーターの整流子, 電車のパンタグラフ
25
ヒューズ材料
26
1ゼロ 2ゼロ 3完全反磁 4マイスナー効果
27
第1種超電導体
28
第2種超電導体
29
1.計測器用精密抵抗, 2.電子・電気機器用電流調整抵抗, 3.電熱・照明用発熱抵抗, 4.機能性材料
30
マンガニン
31
R=ρL/S
32
金属系と炭素系
33
金属皮膜抵抗器, 巻線抵抗器
34
炭素皮膜抵抗器
35
Fe-C系合金, 水
36
Si-C(炭化ケイ素), 酸化物発熱体, 塩浴発熱体
37
タングステン
38
感温抵抗(サーミスタ), 非直線抵抗(バリスタ), 感ガス・乾湿抵抗用多孔質材料, 感歪抵抗, 感磁抵抗, 感光抵抗
39
オームの法則に従わない
40
温度変化により抵抗率が著しく変化する性質
41
1.NTCサーミスタ, 2.PTCサーミスタ
42
金属酸化物
43
BaTiO3(チタン酸バリウム系酸化物)
44
SiC(炭化ケイ素)
45
SnO2(酸化スズ)
46
ピエゾ(圧電)効果
47
Si(シリコン)
48
Bi(ビスマス)
49
λ=1240/E
50
CdS(硫化カドミウム)
51
1.14eV
52
直接遷移
53
真性半導体, 非常に低い
54
ドナー
55
アクセプター
56
低温領域, 出払い(飽和)領域, 真性伝導領域
57
電子がほとんどドナー準位に留まるから
58
ショットキー接触(接合), オーミック接触(接合)
問題一覧
1
mvr=nh/2π
2
シュレディンガー方程式
3
軌道の形状
4
軌道の方向
5
縮退(しゅくたい)
6
n,l,m,s
7
電子雲
8
➀2つの電子 ➁互いに反対側を向いた状態
9
・イオン結合 ・共有結合 ・金属結合 ・ファンデルワールス結合 ・水素結合
10
単結晶
11
多結晶
12
非晶質(アモルファス)
13
面心立方, 体心立方
14
ジンクブレンド構造, 平面立方晶
15
面心立方晶, 4, C,Si,Ge,SiGe, 共有結合
16
1.面 2.方向, [100]
17
伝導帯(コンタクションバンド)
18
バンドギャップ(禁制帯)
19
価電子帯(バレンスバンド)
20
緩和
21
残留抵抗
22
電線, 集積回路配線
23
接触抵抗=集中抵抗+境界抵抗
24
モーターの整流子, 電車のパンタグラフ
25
ヒューズ材料
26
1ゼロ 2ゼロ 3完全反磁 4マイスナー効果
27
第1種超電導体
28
第2種超電導体
29
1.計測器用精密抵抗, 2.電子・電気機器用電流調整抵抗, 3.電熱・照明用発熱抵抗, 4.機能性材料
30
マンガニン
31
R=ρL/S
32
金属系と炭素系
33
金属皮膜抵抗器, 巻線抵抗器
34
炭素皮膜抵抗器
35
Fe-C系合金, 水
36
Si-C(炭化ケイ素), 酸化物発熱体, 塩浴発熱体
37
タングステン
38
感温抵抗(サーミスタ), 非直線抵抗(バリスタ), 感ガス・乾湿抵抗用多孔質材料, 感歪抵抗, 感磁抵抗, 感光抵抗
39
オームの法則に従わない
40
温度変化により抵抗率が著しく変化する性質
41
1.NTCサーミスタ, 2.PTCサーミスタ
42
金属酸化物
43
BaTiO3(チタン酸バリウム系酸化物)
44
SiC(炭化ケイ素)
45
SnO2(酸化スズ)
46
ピエゾ(圧電)効果
47
Si(シリコン)
48
Bi(ビスマス)
49
λ=1240/E
50
CdS(硫化カドミウム)
51
1.14eV
52
直接遷移
53
真性半導体, 非常に低い
54
ドナー
55
アクセプター
56
低温領域, 出払い(飽和)領域, 真性伝導領域
57
電子がほとんどドナー準位に留まるから
58
ショットキー接触(接合), オーミック接触(接合)