問題一覧
1
電界効果トランジスタ、およびPNP型トランジスタは，ともに入力抵抗が数〔kΩ〕である
❌
2
第三角法は、品物が第三象限にあるので、各面をばらばらに展開して描いたようになる。
❌
3
CMOSICは他のMOSICと比較すると集積度が高く，消費電力が少ない。
❌
4
三相交流電源でΔ結線の場合，線電流と相電流とは同じである。
❌
5
一般にNPN形シリコントランジスタのコレクタ・エミッ夕間の飽和電圧（VcE sat）は，ベース・エミッタ間の飽和電圧（VBE sat）よりも高い。
❌
6
下図に示すのは半波整流回路であるが、ダイオードの逆耐電圧は100〔V）あればよい
❌
7
エサキダイオードは、降伏電圧が小さく、微少電力で増幅されるうえに、低雑音、小形で動作時間が速いため、超高周波の発振や増幅に用いられる。
⭕️
8
下図のSを閉じると静電容量Cは次第に充電され、最後はRによる電圧降下があるのでE≠ECとなる。
❌
9
サーミスタは、温度が高くなると抵抗値も増加するので、電子回路の温度補償用のバイアス抵抗として適さない。
❌
10
下図に示すような回路において、VcEが6Vの時、コレクタ電流は1mAである。
⭕️
11
下図の回路でA～B間に直流6Vを加えたときの電荷は10μFの方が大きい。
❌
12
入力信号が一定であるにもかかわらず、出力電圧が変動する現象をリップルといい。低流増幅回路では最も大きな問題である。
❌
13
電解コンデンサ、磁器コンデンサ，ペーパコンデンサ等は固定コンデンサとして作られたものである。
⭕️
14
下記のコンデンサは、極性を考慮する必要はない。
①ポリスチロールコンデンサ
②タンタルコンデンサ
③マイカコンデンサ
❌
15
中間周波増幅器の周波特性として、次にあげるような特性をもたせることが望ましい。
①通過帯域内では、できるだけ平たんな周波数特性をもつこと
②通過帯域外では、できるだけ大きな減衰特性をもたせること
⭕️
16
集積回路（IC）では、その集積度の高いものを大規模集積回路（LSI）という。
⭕️
17
図面の寸法で、ミリメートル単位の場合は寸法数字だけでよいが、センチメートル、メートルの場合はcm,mの文字を記入する。
⭕️
18
下図の記号はすべてコイル、インタクタンスを表わしている。
❌
19
ツイストペアー線の配線作業で，アース線を接続する方法は、下図のうち（1）がよい。
❌
20
プリント基板のはんだ付け後の洗浄液に、毒性が少なく、非引火性で，かつ再生使用が簡単なクロロセンが多く使用されている。
⭕️
21
はんだに表示されているRH60-1.6Aという表示は，RHは松やに入り，60はすずの量，1.6ははんだの外径、Aは塩素含有量を表わす。そしてこれはJISで定められている。
⭕️
22
圧着端子は、5A以下の小電流に使用され、大電流には使用されない。
❌
23
圧着作業で、端子とダイスが合わない場合，サヤに電線が入れば圧着してもよい。
❌
24
下記の演算増幅器の入出力の関係は下記となる。
❌
25
巻線抵抗器は、そのインダクタンス、および分布容量があるため・高周波には使用できない。
⭕️
26
発光ダイオードに、逆電圧を加えても発光する。
❌
27
接合形FETは、ゲート通路をPN接合し、逆電圧でPN接合部を絶縁したものである。
⭕️
28
N形半導体は、正孔がキャリアとなり、P形半導体は電子がキャリアとなる。
❌
29
トランジスタの静特性で、ベース接地電流増幅率をhfb（α）、エミッタ接地電流増幅率をhfe（β）で表すとき、αが0.99であれば、βは90になる。
❌
30
サイリスタはゲートに言を入れると整流作用を始め、ゲート電流を切ると主電流が切れる。
❌
31
ある回路で、500pFのコンデンサが不良になったが、500pFがなかったので、1000pFを2個直列に接続して仮処置とした。この処置は正しい。
⭕️
32
30（W）のはんだごてを8個並列につなぎ、9時間つけると、消費電力量は2.16〔kWh）である。
⭕️
33
下図の回路でR1=100KΩ、R2=20KΩ、Rs=10Ωのとき，ブリッジが平衡した。Rxは100Ωである。
❌
34
静電容量0.05〔μF）のコンデンサに5✕10の-6乗〔C〕の電荷を充電したときの電圧は100Vである。
⭕️
35
下図の回路でA～B間に電圧20Vを加えるとIは0.5Aとなる。
⭕️
36
直列共振回路で共振状態になると、抵抗だけの回路と同じようになり、電流は最大となるので、電流共振ともよぶ。
❌
37
タングステン電球（100V、0.14A）を8個並列に8時間点灯したときの電力量は、2.56kWhである。
❌
38
下図回路において、端子a-b間の電圧は0Vである。
⭕️
39
下図で鉄心にコイルを巻き、SをONにすると磁界の方向は矢印の方向となる。
⭕️
40
下図に示す回路において、直列共振する周波数は、100kHzである。［L：1／2π〔mH〕、R：4.7Ω、C：10/2π〔μF〕］
❌
41
不純物濃度の高いN形ゲルマニウムと5価のひ素As、アンチモンSbの接合によってつくったダイオードがエサキダイオードである。
❌
42
CMOS回路は、PとNの両チャンネルのMOS FETからなる相補形のICである。
⭕️
43
発光タイオードはGaPやGaAsPまたはGaAsの単結晶からなるPN接合に順方向電流を流すと、電流量に応じた発光現象があることを利用している。
⭕️
44
フォトトランジスタは、PN接合に逆電圧を印加し、接点部近辺に光を与えると光量に応じた電流が得られる。
❌
45
ICを構造的に分類すると、下記の2つに分けることができる。
①モノシリックIC
②ハイブリッドIC
⭕️
46
下図はPN接合ダイオードに順方向電圧を加えたものである。
⭕️
47
下図は、いずれも被変調波である。
❌
48
下図の回路と論理式は正しい。
⭕️
49
下図は、PNP形トランジスタのエミッタ接地形を表している。
⭕️
50
CR発振器は、超高周波発振器として広く用いられている。
❌
51
下図は正論理回路のAND（論理積）を示すものである。
⭕️
52
回路図では、補助回路を主回路の外側に配置し、電源回路は最下段に描くのを原則としている。
⭕️
53
下記の製図記号は、いずれも正しい。
R：半径
t：板厚
C：各種の面取り
❌
54
配線は色別で適用回路を区別している。黒色は接地、黄色はコレクタ、青色はエミッタ、赤色はベースのそれぞれの回路に使用する。
❌
55
はんだ付けのしやすさは、すずメッキ、ニッケルメッキ、はんだメッキの順である。
❌
56
電子機器のはんだ付けにおいて、「ルーズ」を発見するには、次の方法がある。
①機械的振動を与える
②目視する
③指先ではんだ付けリード線を引張る
⭕️
57
ワイヤラッピングにおいて、AWG#28のビットで，AWG#30の線がラッピングできる。
❌
58
スキンナに余長をもたせる目的の1つは、部品端子の破損、または断線などを防止することである。
⭕️
59
圧着作業においては、予備はんだがある電線を使用してもよい。
❌
60
φ0.5のすずメッキ軟銅線を1mm角の端子にラッピングするときの適正巻付け回数は、6～8ターンである
⭕️
61
放電してしまうと、充電してもとの状態に回復することがほとんどできない電池を二次電池という。
❌
62
ディジタルICの出力は、高・低の2レベルをとり、リニアICは一般に入力に比例する。
⭕️
63
下図に示す回路の増幅度は、20倍であり、出力波形は入力波形の反転したものとなる。
⭕️
64
ポリスチロールコンデンサは、耐熱性に優れ、高周波特性に富むなどの特性をもっている。
❌
65
抵抗カラーコードの表示は、下図に示すようにJISで決まっている。
⭕️
66
ICを用途から分類すると、DTL、TTL、
ECL、LCD等となる。
❌
67
下図のZDの電圧が5.6Vのとき、500Ωに流れる電流は10mAになる。ただし、TrのVBEは0.6Vとする。
⭕️
68
フォトカプラは、1つのパッケージに受光素子と発光素子を封入したもので、信号伝達を光で行うため、発光側と受光側の回路を電気的に分離することができる。
⭕️
69
接合形FETはゲートの入力インピーダンスが高く，雑音特性がよいため高周波増幅、チョッパ回路に利用される。
⭕️
70
シリコンダイオードに逆電圧を加えると。一種のコンデンサの役割をするが、その容量は電圧の増加とともに増える。
❌
71
下図はヒステリシス特性と呼ばれ、a-c間を保磁力という。
❌
72
自由電子の移動が電流で，電流の方向は電子の流れと反対方向である。
⭕️
73
下図において、抵抗Rで消費される電力は約2［W］である。
❌
74
下図において、b点はa点より電圧が1〔V〕高くなる。
⭕️
75
サイリスタは、交流しゃ断と直流制御ができる。
⭕️
76
下図に示す抵抗は、10〔MΩ〕±5〔%〕である。
⭕️
77
下図は全波整流回路とその出力波形を示す。
⭕️
78
サイリスタの記号は下図の（2）である。
⭕️
79
下図の（1）、（2）、（3）は、いずれも増幅器の記号を表わしている。
⭕️
80
3ミリの黄銅ねじを締付けるときの締付けトルクは約13kg・Cmである。
❌
81
2SC○○○という表示のあるトランジスタは、PNP型のトランジスタである。
❌
82
下図の見取図の部分を第三角法で投影すると、A図のようになる。
❌
83
下図はNAND回路の回路図と真理値表である。
❌
84
液晶を用いた表示装置（LCD）は、発光表示素子（LED）よりも消費電力が少ない。
⭕️
85
温度によって抵抗値が大きく変化する半導体をバリスタといい，コバルト、ニッケル、マンガン、鉄、チタンなどの酸化物を焼き固めたものである。
❌
86
トランジスタに使われる半導体は、不純物半導体で、電子の数を多くしたものがP形半導体で、正孔の数を多くしたものがN形半導体である。
❌
87
下図の回路において、電流計の指示が2〔A〕、電圧計の指示が80〔V〕のとき、抵抗値R1、R2の値は、それぞれ10（Ω）、40（Ω）である。
⭕️
88
永久磁石としての必要条件は残留磁気と保持力が大きいこと、すなわち、ヒステリシス曲線の囲む面積が小さいことである。
❌
89
直列共振では回路のインピーダンスは最小となり、並列共振では回路のインピーダンスは最大となる。
⭕️
90
下図回路で，A-B間の負荷をつないだとき、電流Ｉ＝1.5Aとなる。
⭕️
91
静電容量0.01〔μF〕の平行板間に100Vの電圧を加えると電荷は1〔μC〕となる。
⭕️
92
下図は、穴あけピッチ50で、¢12穴を10ヵ所あけることを示す。
❌
93
機械製図において、下図のような寸法数字の前のφ・□は、φが円形，□が長方形を表わしている。
❌
94
こて先の温度を測定するとき、こて先に、はんだが付いていない方が正確に測定できる。
❌
95
下図の（a）、（b）に示す力（吸引、反発）が平行な電線に働くためには、それぞれ矢印の方向の電流を通す。
⭕️
96
フラックスには、塩化亜鉛や活性化ロジンなどがあるが、塩化亜鉛は腐食性がある。
⭕️
97
ワイヤラッピンクの試験法として、引張り試験、巻もどし試験、目視試験がある。
⭕️
98
B級電力増幅回路におけるトランジスタは、無歪最大出カ時に電力消費が最大となる。
⭕️
99
下図に示すような回路において、コレクタ電圧は10Vである。
⭕️
100
両面プリント基板は、通常，表裏がスルーホールによって接続され、複雑な回路に使用される。
⭕️
技能照査練習問題⑴
技能照査練習問題⑴
12345 · 100問 · 12ヶ月前技能照査練習問題⑴
技能照査練習問題⑴
100問 • 12ヶ月前技能照査練習問題⑵
技能照査練習問題⑵
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技能照査練習問題⑵
100問 • 12ヶ月前技能照査練習問題⑶
技能照査練習問題⑶
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技能照査練習問題⑶
100問 • 12ヶ月前技能照査練習問題⑷
技能照査練習問題⑷
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技能照査練習問題⑷
100問 • 12ヶ月前技能照査練習問題⑸
技能照査練習問題⑸
12345 · 17回閲覧 · 100問 · 12ヶ月前技能照査練習問題⑸
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技能照査練習問題⑺
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1
電界効果トランジスタ、およびPNP型トランジスタは，ともに入力抵抗が数〔kΩ〕である
❌
2
第三角法は、品物が第三象限にあるので、各面をばらばらに展開して描いたようになる。
❌
3
CMOSICは他のMOSICと比較すると集積度が高く，消費電力が少ない。
❌
4
三相交流電源でΔ結線の場合，線電流と相電流とは同じである。
❌
5
一般にNPN形シリコントランジスタのコレクタ・エミッ夕間の飽和電圧（VcE sat）は，ベース・エミッタ間の飽和電圧（VBE sat）よりも高い。
❌
6
下図に示すのは半波整流回路であるが、ダイオードの逆耐電圧は100〔V）あればよい
❌
7
エサキダイオードは、降伏電圧が小さく、微少電力で増幅されるうえに、低雑音、小形で動作時間が速いため、超高周波の発振や増幅に用いられる。
⭕️
8
下図のSを閉じると静電容量Cは次第に充電され、最後はRによる電圧降下があるのでE≠ECとなる。
❌
9
サーミスタは、温度が高くなると抵抗値も増加するので、電子回路の温度補償用のバイアス抵抗として適さない。
❌
10
下図に示すような回路において、VcEが6Vの時、コレクタ電流は1mAである。
⭕️
11
下図の回路でA～B間に直流6Vを加えたときの電荷は10μFの方が大きい。
❌
12
入力信号が一定であるにもかかわらず、出力電圧が変動する現象をリップルといい。低流増幅回路では最も大きな問題である。
❌
13
電解コンデンサ、磁器コンデンサ，ペーパコンデンサ等は固定コンデンサとして作られたものである。
⭕️
14
下記のコンデンサは、極性を考慮する必要はない。
①ポリスチロールコンデンサ
②タンタルコンデンサ
③マイカコンデンサ
❌
15
中間周波増幅器の周波特性として、次にあげるような特性をもたせることが望ましい。
①通過帯域内では、できるだけ平たんな周波数特性をもつこと
②通過帯域外では、できるだけ大きな減衰特性をもたせること
⭕️
16
集積回路（IC）では、その集積度の高いものを大規模集積回路（LSI）という。
⭕️
17
図面の寸法で、ミリメートル単位の場合は寸法数字だけでよいが、センチメートル、メートルの場合はcm,mの文字を記入する。
⭕️
18
下図の記号はすべてコイル、インタクタンスを表わしている。
❌
19
ツイストペアー線の配線作業で，アース線を接続する方法は、下図のうち（1）がよい。
❌
20
プリント基板のはんだ付け後の洗浄液に、毒性が少なく、非引火性で，かつ再生使用が簡単なクロロセンが多く使用されている。
⭕️
21
はんだに表示されているRH60-1.6Aという表示は，RHは松やに入り，60はすずの量，1.6ははんだの外径、Aは塩素含有量を表わす。そしてこれはJISで定められている。
⭕️
22
圧着端子は、5A以下の小電流に使用され、大電流には使用されない。
❌
23
圧着作業で、端子とダイスが合わない場合，サヤに電線が入れば圧着してもよい。
❌
24
下記の演算増幅器の入出力の関係は下記となる。
❌
25
巻線抵抗器は、そのインダクタンス、および分布容量があるため・高周波には使用できない。
⭕️
26
発光ダイオードに、逆電圧を加えても発光する。
❌
27
接合形FETは、ゲート通路をPN接合し、逆電圧でPN接合部を絶縁したものである。
⭕️
28
N形半導体は、正孔がキャリアとなり、P形半導体は電子がキャリアとなる。
❌
29
トランジスタの静特性で、ベース接地電流増幅率をhfb（α）、エミッタ接地電流増幅率をhfe（β）で表すとき、αが0.99であれば、βは90になる。
❌
30
サイリスタはゲートに言を入れると整流作用を始め、ゲート電流を切ると主電流が切れる。
❌
31
ある回路で、500pFのコンデンサが不良になったが、500pFがなかったので、1000pFを2個直列に接続して仮処置とした。この処置は正しい。
⭕️
32
30（W）のはんだごてを8個並列につなぎ、9時間つけると、消費電力量は2.16〔kWh）である。
⭕️
33
下図の回路でR1=100KΩ、R2=20KΩ、Rs=10Ωのとき，ブリッジが平衡した。Rxは100Ωである。
❌
34
静電容量0.05〔μF）のコンデンサに5✕10の-6乗〔C〕の電荷を充電したときの電圧は100Vである。
⭕️
35
下図の回路でA～B間に電圧20Vを加えるとIは0.5Aとなる。
⭕️
36
直列共振回路で共振状態になると、抵抗だけの回路と同じようになり、電流は最大となるので、電流共振ともよぶ。
❌
37
タングステン電球（100V、0.14A）を8個並列に8時間点灯したときの電力量は、2.56kWhである。
❌
38
下図回路において、端子a-b間の電圧は0Vである。
⭕️
39
下図で鉄心にコイルを巻き、SをONにすると磁界の方向は矢印の方向となる。
⭕️
40
下図に示す回路において、直列共振する周波数は、100kHzである。［L：1／2π〔mH〕、R：4.7Ω、C：10/2π〔μF〕］
❌
41
不純物濃度の高いN形ゲルマニウムと5価のひ素As、アンチモンSbの接合によってつくったダイオードがエサキダイオードである。
❌
42
CMOS回路は、PとNの両チャンネルのMOS FETからなる相補形のICである。
⭕️
43
発光タイオードはGaPやGaAsPまたはGaAsの単結晶からなるPN接合に順方向電流を流すと、電流量に応じた発光現象があることを利用している。
⭕️
44
フォトトランジスタは、PN接合に逆電圧を印加し、接点部近辺に光を与えると光量に応じた電流が得られる。
❌
45
ICを構造的に分類すると、下記の2つに分けることができる。
①モノシリックIC
②ハイブリッドIC
⭕️
46
下図はPN接合ダイオードに順方向電圧を加えたものである。
⭕️
47
下図は、いずれも被変調波である。
❌
48
下図の回路と論理式は正しい。
⭕️
49
下図は、PNP形トランジスタのエミッタ接地形を表している。
⭕️
50
CR発振器は、超高周波発振器として広く用いられている。
❌
51
下図は正論理回路のAND（論理積）を示すものである。
⭕️
52
回路図では、補助回路を主回路の外側に配置し、電源回路は最下段に描くのを原則としている。
⭕️
53
下記の製図記号は、いずれも正しい。
R：半径
t：板厚
C：各種の面取り
❌
54
配線は色別で適用回路を区別している。黒色は接地、黄色はコレクタ、青色はエミッタ、赤色はベースのそれぞれの回路に使用する。
❌
55
はんだ付けのしやすさは、すずメッキ、ニッケルメッキ、はんだメッキの順である。
❌
56
電子機器のはんだ付けにおいて、「ルーズ」を発見するには、次の方法がある。
①機械的振動を与える
②目視する
③指先ではんだ付けリード線を引張る
⭕️
57
ワイヤラッピングにおいて、AWG#28のビットで，AWG#30の線がラッピングできる。
❌
58
スキンナに余長をもたせる目的の1つは、部品端子の破損、または断線などを防止することである。
⭕️
59
圧着作業においては、予備はんだがある電線を使用してもよい。
❌
60
φ0.5のすずメッキ軟銅線を1mm角の端子にラッピングするときの適正巻付け回数は、6～8ターンである
⭕️
61
放電してしまうと、充電してもとの状態に回復することがほとんどできない電池を二次電池という。
❌
62
ディジタルICの出力は、高・低の2レベルをとり、リニアICは一般に入力に比例する。
⭕️
63
下図に示す回路の増幅度は、20倍であり、出力波形は入力波形の反転したものとなる。
⭕️
64
ポリスチロールコンデンサは、耐熱性に優れ、高周波特性に富むなどの特性をもっている。
❌
65
抵抗カラーコードの表示は、下図に示すようにJISで決まっている。
⭕️
66
ICを用途から分類すると、DTL、TTL、
ECL、LCD等となる。
❌
67
下図のZDの電圧が5.6Vのとき、500Ωに流れる電流は10mAになる。ただし、TrのVBEは0.6Vとする。
⭕️
68
フォトカプラは、1つのパッケージに受光素子と発光素子を封入したもので、信号伝達を光で行うため、発光側と受光側の回路を電気的に分離することができる。
⭕️
69
接合形FETはゲートの入力インピーダンスが高く，雑音特性がよいため高周波増幅、チョッパ回路に利用される。
⭕️
70
シリコンダイオードに逆電圧を加えると。一種のコンデンサの役割をするが、その容量は電圧の増加とともに増える。
❌
71
下図はヒステリシス特性と呼ばれ、a-c間を保磁力という。
❌
72
自由電子の移動が電流で，電流の方向は電子の流れと反対方向である。
⭕️
73
下図において、抵抗Rで消費される電力は約2［W］である。
❌
74
下図において、b点はa点より電圧が1〔V〕高くなる。
⭕️
75
サイリスタは、交流しゃ断と直流制御ができる。
⭕️
76
下図に示す抵抗は、10〔MΩ〕±5〔%〕である。
⭕️
77
下図は全波整流回路とその出力波形を示す。
⭕️
78
サイリスタの記号は下図の（2）である。
⭕️
79
下図の（1）、（2）、（3）は、いずれも増幅器の記号を表わしている。
⭕️
80
3ミリの黄銅ねじを締付けるときの締付けトルクは約13kg・Cmである。
❌
81
2SC○○○という表示のあるトランジスタは、PNP型のトランジスタである。
❌
82
下図の見取図の部分を第三角法で投影すると、A図のようになる。
❌
83
下図はNAND回路の回路図と真理値表である。
❌
84
液晶を用いた表示装置（LCD）は、発光表示素子（LED）よりも消費電力が少ない。
⭕️
85
温度によって抵抗値が大きく変化する半導体をバリスタといい，コバルト、ニッケル、マンガン、鉄、チタンなどの酸化物を焼き固めたものである。
❌
86
トランジスタに使われる半導体は、不純物半導体で、電子の数を多くしたものがP形半導体で、正孔の数を多くしたものがN形半導体である。
❌
87
下図の回路において、電流計の指示が2〔A〕、電圧計の指示が80〔V〕のとき、抵抗値R1、R2の値は、それぞれ10（Ω）、40（Ω）である。
⭕️
88
永久磁石としての必要条件は残留磁気と保持力が大きいこと、すなわち、ヒステリシス曲線の囲む面積が小さいことである。
❌
89
直列共振では回路のインピーダンスは最小となり、並列共振では回路のインピーダンスは最大となる。
⭕️
90
下図回路で，A-B間の負荷をつないだとき、電流Ｉ＝1.5Aとなる。
⭕️
91
静電容量0.01〔μF〕の平行板間に100Vの電圧を加えると電荷は1〔μC〕となる。
⭕️
92
下図は、穴あけピッチ50で、¢12穴を10ヵ所あけることを示す。
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機械製図において、下図のような寸法数字の前のφ・□は、φが円形，□が長方形を表わしている。
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94
こて先の温度を測定するとき、こて先に、はんだが付いていない方が正確に測定できる。
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95
下図の（a）、（b）に示す力（吸引、反発）が平行な電線に働くためには、それぞれ矢印の方向の電流を通す。
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フラックスには、塩化亜鉛や活性化ロジンなどがあるが、塩化亜鉛は腐食性がある。
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ワイヤラッピンクの試験法として、引張り試験、巻もどし試験、目視試験がある。
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B級電力増幅回路におけるトランジスタは、無歪最大出カ時に電力消費が最大となる。
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下図に示すような回路において、コレクタ電圧は10Vである。
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100
両面プリント基板は、通常，表裏がスルーホールによって接続され、複雑な回路に使用される。
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