問題一覧
1
直接測定 間接測定 編位法 零位法 測定器 測定機
2
偶発誤差、個人誤差、系統誤差、測定条件の誤差
3
高級←ーーーーーーーーーーーー→低品質 ±0.2%/±0.5%/±1.0%/±1.5%/±2.5%
4
A,真の値 B、測定値
5
0位置調整
6
DCV:直流電圧 ACV:交流電圧 DCA:直流電流 Ω :抵抗
7
最高レンジ 最適レンジ
8
レンジ切り替え
9
落下 過電流
10
交流電流 ポケットタイプ
11
A正確 B針の振れ方 C遅い D激しく変動 Eプローブ
12
A漏れ電流 B絶縁抵抗値
13
A貫通絶縁抵抗 B沿面絶縁抵抗
14
A大きい B周囲条件 C詳細に記録
15
A低下
16
低い値
17
低下
18
A:0,1MΩ B:0,2MΩ C:0,4MΩ
19
A 125V B 250V C 500V
20
1ブレーカーOFF 2ワニクリップをアース端子に接続 3アースチェック 4測定 5残留電荷の放電
21
A通電状態 B電流
22
A直流の電流、電圧 B50〜60Hz C外部磁界
23
A電気信号(電圧) B波形測定器
24
A回転方向 B正相 C逆相
25
A直接式 B誘導式
26
A大地への電流を遮断
27
アナログテスタ
28
デジタルマルチメータ
29
メガテスタ
30
クランプメータ
31
オシロスコープ
32
ガイジ
33
A起動部品 B受動部品 C機構部品
34
A制限 B分散 C固定抵抗 D可変抵抗 Eボリューム
35
1/2以下
36
A高い B 数10MH
37
0,6%
38
A磁気 B電磁石 C電磁誘導 D逆起電力
39
A貯める B抵抗 C静電容量(容量) D:F(ファラッド)E定格電圧(耐電圧)
40
液漏れ
41
A反比例 B比例
42
A充電 B放電
43
Aシリコン Bイレブンナイン C真性半導体
44
正孔
45
A N型半導体 B P型半導体
46
A PN接合
47
A順バイアス B逆バイアス
48
Aマイナス Bプラス C空乏層
49
オームの法則
50
ブリッジダイオード
51
A交流を直流に変換
52
A PNP型 B NPN型 B(ベース) ・C(コレクタ)・E(エミッタ)
53
100〜1000
54
Aトランジスタ Bフォトカプラ
問題一覧
1
直接測定 間接測定 編位法 零位法 測定器 測定機
2
偶発誤差、個人誤差、系統誤差、測定条件の誤差
3
高級←ーーーーーーーーーーーー→低品質 ±0.2%/±0.5%/±1.0%/±1.5%/±2.5%
4
A,真の値 B、測定値
5
0位置調整
6
DCV:直流電圧 ACV:交流電圧 DCA:直流電流 Ω :抵抗
7
最高レンジ 最適レンジ
8
レンジ切り替え
9
落下 過電流
10
交流電流 ポケットタイプ
11
A正確 B針の振れ方 C遅い D激しく変動 Eプローブ
12
A漏れ電流 B絶縁抵抗値
13
A貫通絶縁抵抗 B沿面絶縁抵抗
14
A大きい B周囲条件 C詳細に記録
15
A低下
16
低い値
17
低下
18
A:0,1MΩ B:0,2MΩ C:0,4MΩ
19
A 125V B 250V C 500V
20
1ブレーカーOFF 2ワニクリップをアース端子に接続 3アースチェック 4測定 5残留電荷の放電
21
A通電状態 B電流
22
A直流の電流、電圧 B50〜60Hz C外部磁界
23
A電気信号(電圧) B波形測定器
24
A回転方向 B正相 C逆相
25
A直接式 B誘導式
26
A大地への電流を遮断
27
アナログテスタ
28
デジタルマルチメータ
29
メガテスタ
30
クランプメータ
31
オシロスコープ
32
ガイジ
33
A起動部品 B受動部品 C機構部品
34
A制限 B分散 C固定抵抗 D可変抵抗 Eボリューム
35
1/2以下
36
A高い B 数10MH
37
0,6%
38
A磁気 B電磁石 C電磁誘導 D逆起電力
39
A貯める B抵抗 C静電容量(容量) D:F(ファラッド)E定格電圧(耐電圧)
40
液漏れ
41
A反比例 B比例
42
A充電 B放電
43
Aシリコン Bイレブンナイン C真性半導体
44
正孔
45
A N型半導体 B P型半導体
46
A PN接合
47
A順バイアス B逆バイアス
48
Aマイナス Bプラス C空乏層
49
オームの法則
50
ブリッジダイオード
51
A交流を直流に変換
52
A PNP型 B NPN型 B(ベース) ・C(コレクタ)・E(エミッタ)
53
100〜1000
54
Aトランジスタ Bフォトカプラ