問題一覧
1
Расстояние между нижним уровнем зоны проводимости и верхним уровнем валентной зоны называется
шириной запрещённой зоны
2
Этот эффект характеризуется наличием...H=0... ku>>0...
антиферромагнитеный
3
Запрещённая энергетическая зона
область значений энергий, которыми электрон не может обладать в кристалле
4
Всего сущ. 4 типа энергет. подуровней...воздушные шары или объемную восьмёрку с двумя плоскими тортами ...
f
5
Если узлы кристалл. решетки расположены в вершинах параллепипеда и имеются узлы в центре оснований...
базоцентрич
6
В транзисторе n-p-n типа база имеет проводимость
дырочную
7
Среди металлов, этот металл имеет наим удельное сопротивление...
серебро
8
Диэлектрики, в которых поляризация возникает только под действием электрического поля
пассивными(линейными)
9
сегнетоэлектрики
10
Режим работы фотодиода без источника питания
фотогальваническим
11
К материалам с высоким удельным сопрот
манганин, нихром, константан, фехраль
12
парамагнитный
13
Температурная зависимость электропроводности примесных полупров описывается выраж(На - энергия активации примеси)
сигмаexp( - Еа/2кТ)
14
Запрет Паули гласит: на одной АО могут находиться не более, чем
два электрона, ... различные спины
15
В сильных электрич полях при увеличении напряж подвижность носителей заряда
уменьшается
16
Полупроводниковые диоды, дающие излучение в видимой области спектра,...
арсенида галия
17
диэлектрической проницаемостью
18
p
19
На основе фоторезисторов эффекта работает фотоприемник
фоторезистор
20
В полупроводниках р-типа дырки явля
основными носителями заряда
21
Коэфф передачи тока в схеме с общим эмиттером (бета) равен
бета=Ik/Iб
22
Материалы, характериз хаотическим расположением атомов или ионов
аморфные
23
Магнитные свойства всех веществ обусловлены магнитными свойствами
электронов
24
Если в кристалл решетке имеются узлы в центре всех боковых граней, то решетка
гранецентрированной
25
Усилительные свойства биполярного транзистора обусловлены
инжекции и экстракции носителей заряда
26
В соотв со знач u>1, ku~0 данный тип магнитного материала относят
паррамагнетиквм
27
Это квантовое число определяет ориентацию орбитали...
магнитное
28
верно
29
В какой из схем вкл биполярного транзистора коэфф усиления по току меньше 1
ОБ
30
Выбивание электронами проводимости электронов из ков связи ... в сильных электр полях
ударной ионизацией
31
Фототранзистор управляется путем освещения
базы
32
Деление материалов на паррамагнетиквм, ферромагнетики, антиферромагнетикам и ферромагнетики произв по воздействию на них
магнитного поля
33
Полупроводники n-типа получают
легирование собственных полупров донорной примесью
34
Система h-параметров биполярного транзистора связывает
выходной ток и входное напряжение с входным током и выходным напряжением
35
В транзисторе p-n-p типа коллектора имеет проводимость
дырочную
36
Температурная зависимость электропроводности собсв полупров описывается выраж
с exp (- Ез/2кТ)
37
Образование домена в кристалле пооупров в сильном электрич поле приводит
к резкому росту его сопротивления
38
s
39
Ширина разрешенных энергетич зон
возрастает с увеличением энергии электрона
40
ферримагнитный
41
d
42
Дрейф носителей заряда в полупров
направленное движ под действием внешнего электр поля
43
Коэфф инжекции равен
отношение тока индексированных к полному току через переход
44
парамагнитный
45
Соотношение Эйнштейна, связ коэфф диффузии и подвижность носителей
D/u =kT/q
46
В Кристаллах пооупров атомы связаны хим связью
ковалентной
47
Вещество, основным электр свойством которого явл способность поляризоваться в электрич поле
диэлектриком
48
Нафталин, виолантрен, антрацен
органическим полупров
49
К материалам с высокой проводимостью относят
серебро, алюминий, золото, медб
50
В соотв со знач u<1, ku<0
диамагнетикам
51
Сост каждого электрона в атоме обычно описыв с помощью 4 КВ чисел
магнитное m спиновое s главное n орб l
52
Время жизни неравновесн носителей заряда это интервал времени...
в е раз
53
Под действием света электропроводность полупров
увеличивается
54
Это КВ число опред форму атомной орбитали...
орбитальное
55
Если в кристалл решетке есть узел в месте пересечения пространств диагоналей...
объемоцентрированной
56
ВАХ p-n перехода описыв
I0 (exp (qU/kT) -1)
57
В схеме с общем эмиттером входным током явля ток
базы
58
припои
59
1
60
Полупровод р-типа получают
легированием собств полупров акцепторной примесью
61
При обратном вкл р-n перехода
высота потенц барьера повыш
62
При увеличении концентрации дырок в полупр уровень Ферми смещается
к валентной зоне
63
фехраль, нихром
64
В фотодиодным режиме выходным сигналом фотодиода
обратный ток
65
Какой из проблема р-n перехода явля необратимым
тепловой
66
Это КВ число определяет общую энергию электрона и степень его удаления от ядра
главным
67
Коэфф передачи тока в схеме с общей базой (бета) равен
(бета) = Ik/Iэ
68
Коэфф передачи тока в схеме с общим коллектором (бета) равен
Iэ/Iб
69
В соотв со знач u>>1, ku>>0...относят
ферромагнетикам, ферримагнетикам
70
Биполярная световая генерация...(Ез - ширина заарещ зоны, На - энергия активации)
hv>=Eз
71
прямым
72
Механизм электропроводности собств полупров
электронно-дырочный
73
Диод стабилитрон служит для стабилизации
напряжения
74
электреты
75
поликристаллы