問題一覧
1
Если узлы кристалл. решетки расположены в вершинах параллепипеда и имеются узлы в центре оснований...
базоцентрич
2
В транзисторе p-n-p типа коллектора имеет проводимость
дырочную
3
Режим работы фотодиода без источника питания
фотогальваническим
4
Магнитные свойства всех веществ обусловлены магнитными свойствами
электронов
5
Запрет Паули гласит: на одной АО могут находиться не более, чем
два электрона, ... различные спины
6
Коэфф передачи тока в схеме с общим эмиттером (бета) равен
бета=Ik/Iб
7
прямым
8
электреты
9
Нафталин, виолантрен, антрацен
органическим полупров
10
Какой из проблема р-n перехода явля необратимым
тепловой
11
Это КВ число определяет общую энергию электрона и степень его удаления от ядра
главным
12
Соотношение Эйнштейна, связ коэфф диффузии и подвижность носителей
D/u =kT/q
13
В Кристаллах пооупров атомы связаны хим связью
ковалентной
14
Вещество, основным электр свойством которого явл способность поляризоваться в электрич поле
диэлектриком
15
Полупровод р-типа получают
легированием собств полупров акцепторной примесью
16
Диэлектрики, в которых поляризация возникает только под действием электрического поля
пассивными(линейными)
17
Коэфф передачи тока в схеме с общим коллектором (бета) равен
Iэ/Iб
18
В схеме с общем эмиттером входным током явля ток
базы
19
Ширина разрешенных энергетич зон
возрастает с увеличением энергии электрона
20
поликристаллы
21
Полупроводники n-типа получают
легирование собственных полупров донорной примесью
22
Выбивание электронами проводимости электронов из ков связи ... в сильных электр полях
ударной ионизацией
23
Время жизни неравновесн носителей заряда это интервал времени...
в е раз
24
Полупроводниковые диоды, дающие излучение в видимой области спектра,...
арсенида галия
25
Расстояние между нижним уровнем зоны проводимости и верхним уровнем валентной зоны называется
шириной запрещённой зоны
26
Материалы, характериз хаотическим расположением атомов или ионов
аморфные
27
К материалам с высокой проводимостью относят
серебро, алюминий, золото, медб
28
Температурная зависимость электропроводности собсв полупров описывается выраж
с exp (- Ез/2кТ)
29
Температурная зависимость электропроводности примесных полупров описывается выраж(На - энергия активации примеси)
сигмаexp( - Еа/2кТ)
30
сегнетоэлектрики
31
Запрещённая энергетическая зона
область значений энергий, которыми электрон не может обладать в кристалле
32
ферримагнитный
33
При увеличении концентрации дырок в полупр уровень Ферми смещается
к валентной зоне
34
Сост каждого электрона в атоме обычно описыв с помощью 4 КВ чисел
магнитное m спиновое s главное n орб l
35
Если в кристалл решетке имеются узлы в центре всех боковых граней, то решетка
гранецентрированной
36
Биполярная световая генерация...(Ез - ширина заарещ зоны, На - энергия активации)
hv>=Eз
37
Система h-параметров биполярного транзистора связывает
выходной ток и входное напряжение с входным током и выходным напряжением
38
Коэфф инжекции равен
отношение тока индексированных к полному току через переход
39
припои
40
Это квантовое число определяет ориентацию орбитали...
магнитное
41
d
42
В транзисторе n-p-n типа база имеет проводимость
дырочную
43
Это КВ число опред форму атомной орбитали...
орбитальное
44
верно
45
Механизм электропроводности собств полупров
электронно-дырочный
46
В фотодиодным режиме выходным сигналом фотодиода
обратный ток
47
К материалам с высоким удельным сопрот
манганин, нихром, константан, фехраль
48
Под действием света электропроводность полупров
увеличивается
49
В сильных электрич полях при увеличении напряж подвижность носителей заряда
уменьшается
50
При обратном вкл р-n перехода
высота потенц барьера повыш
51
Деление материалов на паррамагнетиквм, ферромагнетики, антиферромагнетикам и ферромагнетики произв по воздействию на них
магнитного поля
52
Этот эффект характеризуется наличием...H=0... ku>>0...
антиферромагнитеный
53
В соотв со знач u>>1, ku>>0...относят
ферромагнетикам, ферримагнетикам
54
Дрейф носителей заряда в полупров
направленное движ под действием внешнего электр поля
55
Если в кристалл решетке есть узел в месте пересечения пространств диагоналей...
объемоцентрированной
56
парамагнитный
57
Образование домена в кристалле пооупров в сильном электрич поле приводит
к резкому росту его сопротивления
58
Среди металлов, этот металл имеет наим удельное сопротивление...
серебро
59
Всего сущ. 4 типа энергет. подуровней...воздушные шары или объемную восьмёрку с двумя плоскими тортами ...
f
60
Фототранзистор управляется путем освещения
базы
61
ВАХ p-n перехода описыв
I0 (exp (qU/kT) -1)
62
В какой из схем вкл биполярного транзистора коэфф усиления по току меньше 1
ОБ
63
Коэфф передачи тока в схеме с общей базой (бета) равен
(бета) = Ik/Iэ
64
Диод стабилитрон служит для стабилизации
напряжения
65
s
66
p
67
На основе фоторезисторов эффекта работает фотоприемник
фоторезистор
68
В полупроводниках р-типа дырки явля
основными носителями заряда
69
В соотв со знач u>1, ku~0 данный тип магнитного материала относят
паррамагнетиквм
70
В соотв со знач u<1, ku<0
диамагнетикам
71
Усилительные свойства биполярного транзистора обусловлены
инжекции и экстракции носителей заряда
72
диэлектрической проницаемостью
73
1
74
парамагнитный
75
фехраль, нихром