問題一覧
1
35Ω
2
2倍
3
50[%]
4
50.0 [%]
5
C級増幅
6
A級増幅
7
f ± f₀
8
V BE:⊣⟝ V CE:⟞⊢
9
A:周波数 B:復調
10
帯域フィルタ(BPF)
11
発振器の発振周波数を整数倍して、希望の周波数にするため
12
電圧制御発振器
13
搬送波 ⋮ ⋮ ↙ 側波帯 ⋮ ⛰️ ━━━┻━━━ 周波数
14
A:薄く B:C級
15
変調波を周波数逓倍器に加えて所要の周波数を得ている。
16
発振器の発振周波数を整数倍して、希望の周波数にするため
17
周波数偏移を制限する。
18
IDC回路
19
(E)と(F)を入れ替える。
20
A:IDC回路 B:電力増幅器
21
搬送波 ⋮ ⋮ ↙ 側波帯 ⋮ ⛰️ ━━━┻━━━ 周波数
22
ALC回路
23
近接周波数による混信を受けやすくなる。
24
中間周波増幅部の利得を下げる。
25
入力が小さくても大きな検波出力が取り出せるから
26
A: 高周波増幅部 B:信号対雑音比
27
受信信号の明りょう度を良くする。
28
AGC
29
AGC回路
30
受信周波数を中間周波数に変える。
31
中間周波増幅部に適切な特性の帯域フィルタ(BPF)を用いる。
32
局部発振器の発振周波数を変化させる。
33
AGC
34
BCI
35
TVI
36
送信電力が低下したとき
37
混変調
38
高域フィルタ(HPF)
39
BCI
40
アンテナ結合回路の結合度が疎になっている。
41
第3高調波が強く発射されている。
42
混変調
43
高域フィルタ(HPF)
44
BCI
45
トラップフィルタ(BEF)
46
電流 i の方向 ⓑ 出力電圧の極性 ⓒ
47
名称 全波整流回路 a点の極性 正
48
順方向電圧を加えたとき内部抵抗は小さい。
49
繰り返し充電することができない。
50
30時間
51
合成電圧 18[V] 合成容量 60[Ah]
52
A: 高い B: できる C: ある
53
10時間
54
11 [m]
55
0.4 [A]
56
放射器
57
指向性を鋭くするため
58
給電点において、電流分布を最小にする給電方法を電圧給電と言う。
59
電波が放射できること
60
電離層波
61
A: 大きく B: 小さく
62
大地の表面に沿って伝わる電波
63
A: 地表波 B: 電離層反射波
64
A: 電離層 B: 跳躍距離
65
A: 電圧計 B: 直列
66
4倍
67
アンテナと給電線との整合状態を調べるとき
68
同軸給電線のアンテナの給電点に近い部分
69
アンテナの給電線の整合状態を調べるとき
70
A:疎 B:吸収 C:最小
71
5倍
72
アルミニウム → シリコン → 大地
73
互いに離れる。
74
20 [V]
75
500 [W]
76
3.14[kΩ]
77
交流を流したとき、電流の位相は加えた電圧の位相より進む。
78
A:強磁性体 B:反磁性体
79
5 × 10 ⁻ ⁶[C]
80
電子の進行速度が変わる。
81
A:S極 B:N極 C:吸引
82
発光ダイオード
83
A:マイナス B:プラス C:静電誘導
84
18 [Ω]
85
Z:最大 i:最小 i₀:最大
86
125 [W]
87
250 [W]
88
20[V]
89
電気エネルギーを、光のエネルギーに変換する。
90
ソース
91
電子の進行方向が変わる。
92
電子の進行速度が変わる。
93
高周波特性が優れている。
94
内部雑音は大きい。
95
ゲート
96
NOR回路
97
A:バラクタダイオード B:ツェナー C:図2
98
エンハンスメント形NチャネルMOSFET
99
6.28[kΩ]
100
A:エミッタ B:コレクタ C:ベース
ブラックエプロン②(LNB~BNA)
ブラックエプロン②(LNB~BNA)
ゆんころ · 98問 · 3時間前ブラックエプロン②(LNB~BNA)
ブラックエプロン②(LNB~BNA)
98問 • 3時間前ツイストペアケーブル
ツイストペアケーブル
日下瑠惟 · 10問 · 1日前ツイストペアケーブル
ツイストペアケーブル
10問 • 1日前基礎~応用
基礎~応用
日下瑠惟 · 8問 · 1日前基礎~応用
基礎~応用
8問 • 1日前画像工学(国試56〜76回)解説あり
画像工学(国試56〜76回)解説あり
ユーザ名非公開 · 105問 · 5日前画像工学(国試56〜76回)解説あり
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105問 • 5日前半導体製造/集積回路組立2級筆記(A郡真偽法)
半導体製造/集積回路組立2級筆記(A郡真偽法)
ユーザ名非公開 · 37問 · 5日前半導体製造/集積回路組立2級筆記(A郡真偽法)
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37問 • 5日前半導体
半導体
ユーザ名非公開 · 100問 · 5日前半導体
半導体
100問 • 5日前半導体
半導体
ユーザ名非公開 · 100問 · 5日前半導体
半導体
100問 • 5日前半導体
半導体
ユーザ名非公開 · 100問 · 5日前半導体
半導体
100問 • 5日前バイオメカニクス
バイオメカニクス
ユーザ名非公開 · 101問 · 6日前バイオメカニクス
バイオメカニクス
101問 • 6日前情報
情報
ユーザ名非公開 · 82問 · 6日前情報
情報
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FY26 プロモ豆 相性の良い風味
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FY26 プロモ豆 相性の良い風味
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令7年度ITパスポート単語暗記問題集ストラテジ編
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ブラックエプロン (ランダム問題)
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65問 • 10日前ブラックエプロン抽出器具編①
ブラックエプロン抽出器具編①
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生成AIパスポート(選択式)
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生成AIパスポート(選択式)
63問 • 11日前Practical Problems 2
Practical Problems 2
ユーザ名非公開 · 50問 · 13日前Practical Problems 2
Practical Problems 2
50問 • 13日前CGD- Plumbing Code 1.3
CGD- Plumbing Code 1.3
ユーザ名非公開 · 50問 · 13日前CGD- Plumbing Code 1.3
CGD- Plumbing Code 1.3
50問 • 13日前CDG- Plumbing Code 1.2
CDG- Plumbing Code 1.2
ユーザ名非公開 · 50問 · 13日前CDG- Plumbing Code 1.2
CDG- Plumbing Code 1.2
50問 • 13日前PP Pre 2
PP Pre 2
ユーザ名非公開 · 100問 · 13日前PP Pre 2
PP Pre 2
100問 • 13日前PP pre
PP pre
ユーザ名非公開 · 100問 · 13日前PP pre
PP pre
100問 • 13日前問題一覧
1
35Ω
2
2倍
3
50[%]
4
50.0 [%]
5
C級増幅
6
A級増幅
7
f ± f₀
8
V BE:⊣⟝ V CE:⟞⊢
9
A:周波数 B:復調
10
帯域フィルタ(BPF)
11
発振器の発振周波数を整数倍して、希望の周波数にするため
12
電圧制御発振器
13
搬送波 ⋮ ⋮ ↙ 側波帯 ⋮ ⛰️ ━━━┻━━━ 周波数
14
A:薄く B:C級
15
変調波を周波数逓倍器に加えて所要の周波数を得ている。
16
発振器の発振周波数を整数倍して、希望の周波数にするため
17
周波数偏移を制限する。
18
IDC回路
19
(E)と(F)を入れ替える。
20
A:IDC回路 B:電力増幅器
21
搬送波 ⋮ ⋮ ↙ 側波帯 ⋮ ⛰️ ━━━┻━━━ 周波数
22
ALC回路
23
近接周波数による混信を受けやすくなる。
24
中間周波増幅部の利得を下げる。
25
入力が小さくても大きな検波出力が取り出せるから
26
A: 高周波増幅部 B:信号対雑音比
27
受信信号の明りょう度を良くする。
28
AGC
29
AGC回路
30
受信周波数を中間周波数に変える。
31
中間周波増幅部に適切な特性の帯域フィルタ(BPF)を用いる。
32
局部発振器の発振周波数を変化させる。
33
AGC
34
BCI
35
TVI
36
送信電力が低下したとき
37
混変調
38
高域フィルタ(HPF)
39
BCI
40
アンテナ結合回路の結合度が疎になっている。
41
第3高調波が強く発射されている。
42
混変調
43
高域フィルタ(HPF)
44
BCI
45
トラップフィルタ(BEF)
46
電流 i の方向 ⓑ 出力電圧の極性 ⓒ
47
名称 全波整流回路 a点の極性 正
48
順方向電圧を加えたとき内部抵抗は小さい。
49
繰り返し充電することができない。
50
30時間
51
合成電圧 18[V] 合成容量 60[Ah]
52
A: 高い B: できる C: ある
53
10時間
54
11 [m]
55
0.4 [A]
56
放射器
57
指向性を鋭くするため
58
給電点において、電流分布を最小にする給電方法を電圧給電と言う。
59
電波が放射できること
60
電離層波
61
A: 大きく B: 小さく
62
大地の表面に沿って伝わる電波
63
A: 地表波 B: 電離層反射波
64
A: 電離層 B: 跳躍距離
65
A: 電圧計 B: 直列
66
4倍
67
アンテナと給電線との整合状態を調べるとき
68
同軸給電線のアンテナの給電点に近い部分
69
アンテナの給電線の整合状態を調べるとき
70
A:疎 B:吸収 C:最小
71
5倍
72
アルミニウム → シリコン → 大地
73
互いに離れる。
74
20 [V]
75
500 [W]
76
3.14[kΩ]
77
交流を流したとき、電流の位相は加えた電圧の位相より進む。
78
A:強磁性体 B:反磁性体
79
5 × 10 ⁻ ⁶[C]
80
電子の進行速度が変わる。
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A:S極 B:N極 C:吸引
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発光ダイオード
83
A:マイナス B:プラス C:静電誘導
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18 [Ω]
85
Z:最大 i:最小 i₀:最大
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125 [W]
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250 [W]
88
20[V]
89
電気エネルギーを、光のエネルギーに変換する。
90
ソース
91
電子の進行方向が変わる。
92
電子の進行速度が変わる。
93
高周波特性が優れている。
94
内部雑音は大きい。
95
ゲート
96
NOR回路
97
A:バラクタダイオード B:ツェナー C:図2
98
エンハンスメント形NチャネルMOSFET
99
6.28[kΩ]
100
A:エミッタ B:コレクタ C:ベース